SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
GP10-4004EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4004EHE3/53 -
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
MBRB20100CTTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20100CTTRL -
RFQ
ECAD 8147 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB MBRB20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
V10D60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10D60C-M3/i 1.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V10D60 肖特基 SMPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -40°C〜150°C
SE20AFD-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFD-M3/6B 0.1058
RFQ
ECAD 3885 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE20 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1.3a 12pf @ 4V,1MHz
ES3C-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3C-M3/9AT 0.2101
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC ES3C 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 900 mv @ 3 a 30 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 3a 45pf @ 4V,1MHz
BZG05B75-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B75-M3-08 0.1980
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG05B-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG05B75 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 56 V 75 v 135欧姆
VS-18TQ045S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045S-M3 0.8070
RFQ
ECAD 7858 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 18TQ045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 600 mv @ 18 a 2.5 ma @ 35 V -55°C 〜175°C 18a 1400pf @ 5V,1MHz
SB260S-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB260S-E3/54 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB260 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
RGP10MHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10MHE3/73 -
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
UGB5HT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB5HT-E3/81 -
RFQ
ECAD 9165 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB UGB5 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.75 V @ 5 A 50 ns 30 µA @ 500 V -55°C〜150°C 5a -
S5K-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5K-M3/57T 0.1549
RFQ
ECAD 8046 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5K 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
GL41T-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41T-E3/96 0.1246
RFQ
ECAD 7548 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) GL41 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 1300 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
19TQ015 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19TQ015 -
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 19TQ015 肖特基 TO-220AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 360 mv @ 19 a 1.5 ma @ 15 V -55°C〜125°C 19a -
BYV29-400HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV29-400HE3/45 -
RFQ
ECAD 6910 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 Byv29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 8a -
VS-20CTQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040SPBF -
RFQ
ECAD 4316 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 20CTQ040 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20CTQ040SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 760 mv @ 20 a 2 ma @ 40 V 175°c (最大)
VS-300UR20A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-300UR20A 46.7158
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 300ur20 标准,反极性 DO-205AB(DO-9) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.4 V @ 942 A 40 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 300A -
BYW36-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW36-TAP 0.7200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW36 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2a -
1N3087R Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3087R -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ac,do-30,螺柱 1N3087 标准 DO-205AC(DO-30) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *1N3087R Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.2 V @ 150 A 17 mA @ 300 V -65°C 〜200°C 150a -
VS-16CTQ060PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060PBF -
RFQ
ECAD 1771年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 16CTQ060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 8a 720 MV @ 8 A 550 µA @ 60 V -55°C 〜175°C
BYG22DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22dhe3_a/i 0.1815
RFQ
ECAD 5771 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA byg22 雪崩 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 2 A 25 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C 2a -
GP02-30-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-30-M3/73 -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 3000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 3000 V -65°C〜175°C 250mA 3pf @ 4V,1MHz
VS-SD1500C08L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1500C08L 140.1400
RFQ
ECAD 1558年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 夹紧 DO-200AB,B-PUK SD1500 标准 DO-200AB,B-PUK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.64 V @ 3000 A 50 ma @ 800 V 1600a -
8TQ100STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8TQ100STRR -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 8TQ100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 720 MV @ 8 A 550 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 8a -
SS10P4C-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4C-M3/87A 0.3884
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS10P4 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 5a 530 mv @ 5 a 550 µA @ 40 V -55°C〜150°C
VS-85EPF12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85EPF12 11.7500
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 PowerTab™,Powirtab™ 85epf12 标准 POWIRTAB™ - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 375 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.3 V @ 85 A 190 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 85a -
43CTQ100S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 43CTQ100 -
RFQ
ECAD 3762 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 43ctq 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 1 mA @ 100 V -55°C 〜175°C
MMSZ5243B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5243B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ5243 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 500 NA @ 9.9 V 13 V 13欧姆
TZS4703-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4703-GS08 0.0411
RFQ
ECAD 5378 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SOD-80变体 TZS4703 500兆 SOD-80四元 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 100 ma 50 NA @ 12.1 V 16 V
SBLB1640CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1640CTHE3_B/p 0.8745
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB SBLB1640 肖特基 TO-263AB 下载 到达不受影响 112-SBLB1640CTHE3_B/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 8a 550 mv @ 8 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C
V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120S-E3/4W 1.2500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.12 V @ 20 A 300 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库