- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
二极管（（29505）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Byw35-Tr | 0.2871 |  | 9506 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 通过洞 | SOD-57，轴向 | Byw35 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 500 v | 1.1 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | ||||||
| byw55-tr | 0.6400 | | 24 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BYW55 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） | 800 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | ||||||
 | byw83-tr | 0.5247 | | 8198 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 通过洞 | SOD-64，轴向 | Byw83 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1 V @ 3 A | 7.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 4V，1MHz | ||||||
 | BZD17C110P-E3-18 | 0.1597 | | 6078 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C110 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 82 V | 110 v | |||||||||
| BZD17C16P-E3-18 | 0.1482 | | 4819 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12 V | 16 V | |||||||||
| BZD17C180P-E3-18 | 0.1601 | | 7145 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C180 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 130 V | 180 v | |||||||||
| BZD17C27P-E3-18 | 0.1492 | | 4643 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C27 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 20 V | 27 V | |||||||||
| BZD17C30P-E3-18 | 0.1492 | | 5510 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C30 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 22 V | 30 V | |||||||||
| BZD17C33P-E3-18 | 0.1356 | | 5462 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C33 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 24 V | 33 V | |||||||||
| BZD17C36P-E3-18 | 0.1492 | | 2097 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C36 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | |||||||||
| BZD17C3V6P-E3-18 | 0.1377 | | 2931 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-219ab | BZD17C3V6 | 800兆 | DO-219AB（SMF） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | |||||||||
| byw83tap | 0.5247 | | 6020 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （TB） | 积极的 | 通过洞 | SOD-64，轴向 | Byw83 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1 V @ 3 A | 7.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 4V，1MHz | ||||||
| BYW85-TAP | 0.5445 | | 8050 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （TB） | 积极的 | 通过洞 | SOD-64，轴向 | BYW85 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） | 800 v | 1 V @ 3 A | 7.5 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 4V，1MHz | ||||||
| byx82Tap | 0.2475 | | 1668年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （TB） | 积极的 | 通过洞 | SOD-57，轴向 | byx82 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） | 200 v | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 20pf @ 4V，1MHz | ||||||
| BZT03C100-TAP | 0.2640 | | 8596 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±6％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C100 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 75 V | 100 v | 200欧姆 | ||||||||
| BZT03C11-TAP | 0.2970 | | 1529年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±5.45％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C11 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 4 µA @ 8.2 V | 11 V | 7欧姆 | ||||||||
| BZT03C12-TAP | 0.7200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±5.42％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C12 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 3 µA @ 9.1 V | 12 v | 7欧姆 | ||||||||
| BZT03C130-TAP | 0.2640 | | 5956 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±6.54％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C130 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 100 V | 130 v | 300欧姆 | ||||||||
| BZT03C13-TAP | 0.7200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±6.54％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C13 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 2 µA @ 10 V | 13 V | 10欧姆 | ||||||||
| BZT03C18-TAP | 0.7200 | | 483 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±6.39％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C18 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15欧姆 | ||||||||
| BZT03C20-TAP | 0.2970 | | 5545 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±6％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C20 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 15 V | 20 v | 15欧姆 | ||||||||
| BZT03C27-TAP | 0.6400 | | 7787 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±7.04％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C27 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15欧姆 | ||||||||
| BZT03C30-TAP | 0.6400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±6.67％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C30 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15欧姆 | ||||||||
| BZT03C43-TAP | 0.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±6.98％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C43 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45欧姆 | ||||||||
| BZT03C47-TAP | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （CT） | 积极的 | ±6.38％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C47 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45欧姆 | ||||||||
| BZT03C62-TAP | 0.2640 | | 5869 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±6.45％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C62 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 47 V | 62 v | 80欧姆 | ||||||||
| BZT03C6V8-TAP | 0.2970 | | 9347 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±5.88％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C6V8 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 mA @ 5.1 V | 6.8 v | 2欧姆 | ||||||||
| BZT03C8V2-TAP | 0.2970 | | 7772 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±6.1％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C8V2 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 600 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 2欧姆 | ||||||||
| BZT03C91-TAP | 0.2640 | | 2739 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 积极的 | ±6.04％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03C91 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 68 V | 91 v | 200欧姆 | ||||||||
| BZT03D100-TAP | - | | 5859 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT03 | （TB） | 过时的 | ±6％ | 175°C（TJ） | 通过洞 | SOD-57，轴向 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 mA | 1 µA @ 75 V | 100 v | 200欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）