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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZX85C43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C43-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C43 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 33 V 43 V 50欧姆
BZX85C51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C51-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C51 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 39 V 51 v 115欧姆
BZX85C5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C5V1-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C5V1 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 1.5 V 5.1 v 10欧姆
BZX85C62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C62-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C62 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 47 V 62 v 125欧姆
BZX85C68-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C68-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C68 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 51 V 68 v 130欧姆
BZX85C6V8-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C6V8-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C6V8 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
BZX85C8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C8V2-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C8V2 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 6.2 V 8.2 v 5欧姆
BZX85C91-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C91-TAP -
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 过时的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C91 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 68 V 91 v 250欧姆
EGP10A-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10A-M3/73 -
RFQ
ECAD 2614 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP10BE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10BE-M3/73 -
RFQ
ECAD 8600 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP10CEHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CEHM3/73 -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP10CE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CE-M3/73 -
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP10DHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10DHM3/73 -
RFQ
ECAD 2804 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
EGP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
GP02-20-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20-E3/53 -
RFQ
ECAD 3255 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 2000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2000 V -65°C〜175°C 250mA 3pf @ 4V,1MHz
GP02-25-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-25-E3/53 -
RFQ
ECAD 7862 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 2500 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2500 V -65°C〜175°C 250mA 3pf @ 4V,1MHz
GP02-25HE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-25HE3/53 -
RFQ
ECAD 5755 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 2500 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2500 V -65°C〜175°C 250mA 3pf @ 4V,1MHz
GP02-40-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-40-M3/73 -
RFQ
ECAD 9760 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 4000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 4000 V -65°C〜175°C 250mA 3pf @ 4V,1MHz
GP10B-4002-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10B-4002-M3/73 -
RFQ
ECAD 8145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10D-4003E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10D-4003E-M3/73 -
RFQ
ECAD 7289 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10G-4004E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10G-4004E-M3/73 -
RFQ
ECAD 3469 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10J-4005E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10J-4005E-M3/73 -
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10-4007EHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007EHM3/73 -
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10M-4007E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10M-4007E-M3/73 -
RFQ
ECAD 3862 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
GP10M-4007-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10M-4007-M3/73 -
RFQ
ECAD 4839 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
GP10AHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AHM3/73 -
RFQ
ECAD 7923 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10DHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10DHM3/73 -
RFQ
ECAD 8310 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10D-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10D-M3/73 -
RFQ
ECAD 6461 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10GEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GEHE3/53 -
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
BAV19WS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 BAV19 标准 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 V 150°C (最大) 250mA 1.5pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库