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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BYV37-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV37-TAP 0.2574
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv37 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV98-100-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-100-TAP 0.5643
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 4a -
BYV98-200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-200-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW172G-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW172G-TAP 0.5742
RFQ
ECAD 3863 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW178-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW178-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW178 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.9 V @ 3 A 60 ns 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW72-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW72-TAP 1.0900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW72 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW74TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW74TAP 0.5346
RFQ
ECAD 3167 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW74 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a -
BZX55B75-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B75-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55B75 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 56 V 75 v 250欧姆
BZX55C10-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C10-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C10 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 7.5 V 10 v 15欧姆
BZX55C13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C13-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C13 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 13 V 26欧姆
BZX55C18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C18-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C18 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 13 V 18 V 50欧姆
BZX55C20-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C20-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C20 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 55欧姆
BZX55C22-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C22-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C22 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 16 V 22 v 55欧姆
BZX55C24-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C24-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C24 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 18 V 24 V 80欧姆
BZX55C3V3-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C3V3-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C3V3 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 3.3 v 85欧姆
BZX55C4V3-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C4V3-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C4V3 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 1 V 4.3 v 75欧姆
BZX55C5V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C5V6-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 127 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C5V6 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 5.6 v 25欧姆
BZX55C68-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C68-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C68 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 51 V 68 v 200欧姆
BZX55C6V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C6V2-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C6V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 2 V 6.2 v 10欧姆
BZX55C6V8-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C6V8-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C6V8 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 3 V 6.8 v 8欧姆
BZX55C7V5-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C7V5-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C7V5 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 5 V 7.5 v 7欧姆
BZX55C8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C8V2-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C8V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 6.2 V 8.2 v 7欧姆
BZX55C9V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C9V1-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C9V1 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 6.8 V 9.1 v 10欧姆
BZX85B11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B11-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B11 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 8.2 V 11 V 8欧姆
BZX85B13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B13-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B13 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 10 V 13 V 10欧姆
BZX85B18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B18-TAP 0.5500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B18 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 13 V 18 V 20欧姆
BZX85B36-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B36-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 9088 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B36 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 27 V 36 V 40欧姆
BZX85B43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B43-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 9113 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B43 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 33 V 43 V 50欧姆
BZX85B4V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B4V7-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B4V7 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 3 µA @ 1 V 4.7 v 13欧姆
BZX85B75-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B75-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B75 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 56 V 75 v 135欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库