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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZT03C6V8-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C6V8-Tr 0.2970
RFQ
ECAD 2586 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.88% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C6V8 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 mA @ 5.1 V 6.8 v 2欧姆
BZT03C75-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C75-Tr 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C75 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 56 V 75 v 100欧姆
BZT03C7V5-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C7V5-Tr 0.7200
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C7V5 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 mA 750 µA @ 5.6 V 7.5 v 2欧姆
BZT03D11-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D11-Tr -
RFQ
ECAD 1947年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5.45% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 4 µA @ 8.2 V 11 V 7欧姆
RGP30BLHE3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30BLHE3/72 -
RFQ
ECAD 2848 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 RGP30 标准 Do-201 AD - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
MUR420-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR420-M3/73 -
RFQ
ECAD 5592 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Mur420 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 890 mv @ 4 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 4a -
MUR440-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR440-M3/73 -
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 MUR440 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.28 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 4a -
P600A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600A-E3/73 -
RFQ
ECAD 3861 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 P600,轴向 P600 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 50 V 900 mv @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V,1MHz
P600B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600B-E3/73 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 P600,轴向 P600 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 100 v 900 mv @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 100 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V,1MHz
RGP02-12E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-E3/53 -
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-12E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-14E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-E3/53 -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1400 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1400 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-15E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1500 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-17EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17EHE3/53 -
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1700 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1700 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP10BEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BEHE3/53 -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10BE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10B-M3/73 -
RFQ
ECAD 4826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-E3/53 -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
SMAZ5923B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5923B-M3/5A 0.1063
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAZ5923 500兆 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 ma 10 µA @ 6.5 V 8.2 v 5欧姆
SMAZ5926B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5926B-M3/5A 0.1063
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAZ5926 500兆 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 5.5欧姆
SMAZ5930B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5930B-M3/5A 0.1063
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAZ5930 500兆 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 12.2 V 16 V 10欧姆
SMAZ5931B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5931B-M3/5A 0.1063
RFQ
ECAD 7242 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAZ5931 500兆 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 13.7 V 18 V 12欧姆
SMAZ5943B-M3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5943B-M3/5A 0.1063
RFQ
ECAD 4542 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAZ5943 500兆 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
S3J-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3J-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S3J 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 600 v 1.15 V @ 2.5 A 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
S5D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5D-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5D 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 200 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
S5J-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5J-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5J 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 600 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
S5M-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5M-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5M 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
SB250-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB250-E3/54 0.1104
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB250 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 50 V -65°C〜150°C 2a -
SB2J-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2J-M3/5BT 0.1160
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB2 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 600 v 1.15 V @ 2 A 2 µs 1 µA @ 600 V -55°C〜150°C 2a 16pf @ 4V,1MHz
SB2M-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2M-M3/5BT 0.1160
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB2 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.15 V @ 2 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 2a 16pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库