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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
RGP5100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100-E3/73 -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 轴向 RGP51 标准 轴向 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v - 500mA -
RMPG06DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06DHE3/73 -
RFQ
ECAD 6751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06G-E3/73 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3/73 -
RFQ
ECAD 4195 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
EGP50G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50G-E3/73 -
RFQ
ECAD 4963 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 EGP50 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 5 A 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 5a 75pf @ 4V,1MHz
FGP10B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP10B-E3/73 -
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 FGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 1 A 35 ns 2 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 4V,1MHz
FGP20CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP20CHE3/73 -
RFQ
ECAD 8306 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 FGP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 2 a 35 ns 2 µA @ 150 V -65°C〜175°C 2a 45pf @ 4V,1MHz
FGP20D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP20D-E3/73 -
RFQ
ECAD 5676 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 FGP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 2 a 35 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 2a 45pf @ 4V,1MHz
FGP30CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP30CHE3/73 -
RFQ
ECAD 1666年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 FGP30 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 3a 70pf @ 4V,1MHz
FGP50C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50C-E3/73 -
RFQ
ECAD 9755 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 FGP50 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 5 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 5a 100pf @ 4V,1MHz
FGP50D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50D-E3/73 -
RFQ
ECAD 2972 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 FGP50 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 5 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 5a 100pf @ 4V,1MHz
FGP50DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50DHE3/73 -
RFQ
ECAD 4885 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 FGP50 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 5 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 5a 100pf @ 4V,1MHz
GI250-4-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-4-E3/73 -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GI250 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4000 v 3.5 V @ 250 ma 2 µs 5 µA @ 4000 V -65°C〜175°C 250mA 3pf @ 4V,1MHz
GI750-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI750-E3/73 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 P600,轴向 GI750 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 900 mv @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 50 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V,1MHz
GI756-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI756-E3/73 1.2200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 P600,轴向 GI756 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 900 mv @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V,1MHz
GI818HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI818HE3/73 -
RFQ
ECAD 6084 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 GI818 标准 DO-204AC(DO-15) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 750 ns 10 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a -
GI822-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI822-E3/73 -
RFQ
ECAD 2026 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 P600,轴向 GI822 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 200 ns 10 µA @ 200 V -50°C〜150°C 5a 300pf @ 4V,1MHz
GI858-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI858-E3/73 -
RFQ
ECAD 7210 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 GI858 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.25 V @ 3 A 200 ns 10 µA @ 800 V -50°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
GP02-20-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20-E3/73 0.6300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2000 V -65°C〜175°C 250mA -
GP02-20HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20HE3/73 -
RFQ
ECAD 3539 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2000 V -65°C〜175°C 250mA -
GP02-25HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-25HE3/73 -
RFQ
ECAD 3496 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2500 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 2500 V -65°C〜175°C 250mA -
GP02-30HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-30HE3/73 -
RFQ
ECAD 3623 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 3000 v 3 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 3000 V -65°C〜175°C 250mA -
GP08G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP08G-E3/73 -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP08 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.3 V @ 800 mA 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 800mA -
GP10-4002-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4002-E3/73 -
RFQ
ECAD 7141 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v - 1a -
GP10-4002E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4002E-E3/73 -
RFQ
ECAD 8693 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v - 1a -
GP10-4003EHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4003EHE3/73 -
RFQ
ECAD 6835 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v - 1a -
GP10-4004-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4004-E3/73 -
RFQ
ECAD 3275 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v - 1a -
GP10-4005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005-E3/73 -
RFQ
ECAD 5434 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v - 1a -
GP10-4005E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005E-E3/73 -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v - 1a -
GP10-4005EHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005EHE3/73 -
RFQ
ECAD 5363 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v - 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库