SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GBU4D-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4D-E3/51 1.9500
RFQ
ECAD 137 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 GBU4DE351 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 3 a 单相 200 v
GBU4G-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4G-E3/51 1.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 3 a 单相 400 v
GBU6B-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6B-E3/51 2.2100
RFQ
ECAD 655 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V 3.8 a 单相 100 v
GBU6G-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6G-E3/51 2.1600
RFQ
ECAD 4096 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V 3.8 a 单相 400 v
GBU8G-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8G-E3/51 2.0600
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V 3.9 a 单相 400 v
GBU8J-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8J-E3/51 2.0600
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V 3.9 a 单相 600 v
GBU8M-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8M-E3/51 2.1400
RFQ
ECAD 734 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V 3.9 a 单相 1 kV
KBU4M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU4M-E4/51 3.3700
RFQ
ECAD 284 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU4 标准 KBU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 KBU4ME451 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V 4 a 单相 1 kV
KBU6A-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU6A-E4/51 3.0205
RFQ
ECAD 2581 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU6 标准 KBU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
KBU6B-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU6B-E4/51 4.8200
RFQ
ECAD 232 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU6 标准 KBU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 KBU6BE451 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V 6 a 单相 100 v
KBU6M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU6M-E4/51 4.8200
RFQ
ECAD 416 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbu KBU6 标准 KBU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 kbu6me451 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V 6 a 单相 1 kV
1N3613GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3613GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3613 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 1 A 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
1N4001GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4001GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4001 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 IN4001GPHE3/73 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4002-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002-E3/73 0.2400
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4002 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4002GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4002 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4002GPEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002GPEHE3/73 -
RFQ
ECAD 3445 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4002 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4004GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPE-E3/73 -
RFQ
ECAD 5449 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4004 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 IN4004GPE-E3/73 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4005GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4042 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4006GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4006GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/73 0.5400
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/73 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/73 -
RFQ
ECAD 5004 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 IN4007GPEHE3/73 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4247GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4247GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4247 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 600 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4248GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4248GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4622 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4248 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 800 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4384GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4384GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N4384 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
1N4934-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934-E3/73 0.4400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -50°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
1N4934GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4934GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 5249 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4936-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936-E3/73 0.3100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4936 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库