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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BY251GP-E3/73 | 0.4100 | ![]() | 270 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (CT) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | BY251 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 3 A | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | ||||||
BY500-100-E3/73 | - | ![]() | 5874 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 到500 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.35 V @ 5 A | 200 ns | 10 µA @ 100 V | 125°c (最大) | 5a | 28pf @ 4V,1MHz | ||||||
BY500-400-E3/73 | - | ![]() | 5629 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 到500 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.35 V @ 5 A | 200 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜125°C | 5a | 28pf @ 4V,1MHz | ||||||
BY500-800-E3/73 | - | ![]() | 7472 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 到500 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.35 V @ 5 A | 200 ns | 10 µA @ 800 V | 125°c (最大) | 5a | 28pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BYD13DGPHE3/73 | - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd13 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | BYD13GGP-E3/73 | - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd13 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||
![]() | BYD13JGP-E3/73 | - | ![]() | 4294 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd13 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | BYD13MGPHE3/73 | - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd13 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 7pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BYD33DGPHE3/73 | - | ![]() | 9002 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd33 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BYD33GGP-E3/73 | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd33 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BYD33JGP-E3/73 | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd33 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BYD33JGPHE3/73 | - | ![]() | 1463年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byd33 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BYV26DGPHE3/73 | - | ![]() | 6500 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | Byv26 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 2.5 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BYW27-200GPHE3/73 | - | ![]() | 1050 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | Byw27 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 3 µs | 200 na @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BYX10GP-E3/73 | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | byx10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.6 V @ 2 A | 2 µs | 1 µA @ 1600 V | -65°C〜175°C | 360mA | - | |||||
![]() | DGP15HE3/73 | - | ![]() | 8491 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | DGP15 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1500 v | 1.1 V @ 1 A | 20 µs | 5 µA @ 1500 V | -65°C〜175°C | 1.5a | - | |||||
![]() | EGP10AHE3/73 | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | EGP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 22pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP10CHE3/73 | - | ![]() | 1116 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | EGP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 1a | 22pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP20C-E3/73 | - | ![]() | 1374 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | EGP20 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 2a | 70pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP20FHE3/73 | - | ![]() | 6793 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | EGP20 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP20G-E3/73 | - | ![]() | 2655 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | EGP20 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP30BHE3/73 | - | ![]() | 6833 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP30 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | EGP30CHE3/73 | - | ![]() | 4255 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP30 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | EGP30G-E3/73 | - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP30 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | EGP50CHE3/73 | - | ![]() | 7722 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP50 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 5a | 95pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | EGP50F-E3/73 | - | ![]() | 3242 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | EGP50 | 标准 | GP20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 5 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 5a | 75pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | GBPC1502W-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 9029 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC1502 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | |||||||
![]() | GBPC1504W-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC1504 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 400 V | 15 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | GBPC1510-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 196 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1510 | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | GBPC1510E451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | ||||||
![]() | GBPC2508-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2508 | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v |
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