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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ugf8jthe3_a/p | - | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | UGF8 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.75 V @ 8 A | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||
![]() | UHF10JT-E3/45 | - | ![]() | 7779 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | UHF10 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 25 ns | -55°C 〜175°C | 10a | - | ||||||||
![]() | V20100R-E3/4W | - | ![]() | 3635 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V20100 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | V20200G-E3/4W | 0.8273 | ![]() | 4539 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V20200 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.7 V @ 10 A | 150 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | V30150C-E3/4W | 1.8800 | ![]() | 7567 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V30150 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 1.36 V @ 15 A | 200 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | 2W005G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | 2W005 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | 2 a | 单相 | 50 V | ||||||||
![]() | 2W02G-E4/51 | 0.8000 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | 2W02 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | ||||||||
![]() | 2W08G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | 2W08 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | 3KBP02M-E4/51 | - | ![]() | 9244 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 3KBP02 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.05 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | 3 a | 单相 | 200 v | ||||||||
![]() | B125C800G-E4/51 | 0.3424 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B125 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 900 MA | 10 µA @ 200 V | 900 MA | 单相 | 200 v | ||||||||
![]() | B250C1000G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B250 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1 a | 单相 | 400 v | ||||||||
![]() | B250C800G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B250 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 900 MA | 10 µA @ 400 V | 900 MA | 单相 | 400 v | ||||||||
![]() | B380C1500G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B380 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 单相 | 600 v | ||||||||
![]() | B80C1000G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 635 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B80 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 125 V | 1 a | 单相 | 125 v | ||||||||
![]() | B80C800G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B80 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 900 MA | 10 µA @ 125 V | 900 MA | 单相 | 125 v | ||||||||
G2SB60-E3/51 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | G2SB60 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 600 v | |||||||||
![]() | G3SBA60-E3/51 | 0.8303 | ![]() | 8158 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | G3SBA60 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 2.3 a | 单相 | 600 v | ||||||||
![]() | G3SBA60L-E3/51 | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | G3SBA60 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 2.3 a | 单相 | 600 v | ||||||||
GBL005-E3/51 | 0.7456 | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBL005 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 3 a | 单相 | 50 V | |||||||||
GBLA02-E3/51 | 0.6630 | ![]() | 8630 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBLA02 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 3 a | 单相 | 200 v | |||||||||
GBLA04-E3/51 | 0.6630 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBLA04 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 3 a | 单相 | 400 v | |||||||||
GBPC101-E4/51 | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-1 | GBPC101 | 标准 | GBPC1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | |||||||||
GBPC110-E4/51 | - | ![]() | 9061 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-1 | GBPC110 | 标准 | GBPC1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | |||||||||
![]() | GBPC1208W-E4/51 | 3.9033 | ![]() | 3702 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC1208 | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 12 a | 单相 | 800 v | ||||||||
![]() | BA158GPHE3/73 | - | ![]() | 1529年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA158 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BA159-E3/73 | 0.3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜125°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BA159DGPHE3/73 | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BA159GP-E3/73 | 0.5600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BA159GPHE3/73 | - | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | BY133GPHE3/73 | - | ![]() | 6943 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | BY133 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1300 v | 1.2 V @ 2 A | 2 µs | 5 µA @ 1300 V | - | 1a | - |
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