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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
UGF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf8jthe3_a/p -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 UGF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 8 A 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
UHF10JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UHF10JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7779 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 UHF10 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 25 ns -55°C 〜175°C 10a -
V20100R-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100R-E3/4W -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 900 mv @ 10 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V20200G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20200G-E3/4W 0.8273
RFQ
ECAD 4539 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20200 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.7 V @ 10 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C
V30150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30150C-E3/4W 1.8800
RFQ
ECAD 7567 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.36 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C
2W005G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W005G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W005 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
2W02G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W02G-E4/51 0.8000
RFQ
ECAD 364 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W02 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
2W08G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W08G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W08 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
3KBP02M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP02M-E4/51 -
RFQ
ECAD 9244 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3KBP02 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 3 a 单相 200 v
B125C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B125C800G-E4/51 0.3424
RFQ
ECAD 7764 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B125 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 900 MA 10 µA @ 200 V 900 MA 单相 200 v
B250C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B250C1000G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B250 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 1 a 单相 400 v
B250C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B250C800G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 7729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B250 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 900 MA 10 µA @ 400 V 900 MA 单相 400 v
B380C1500G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B380C1500G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B380 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
B80C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B80C1000G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 635 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B80 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 125 V 1 a 单相 125 v
B80C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B80C800G-E4/51 0.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B80 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 900 MA 10 µA @ 125 V 900 MA 单相 125 v
G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB60-E3/51 -
RFQ
ECAD 7521 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl G2SB60 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 750 MA 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 600 v
G3SBA60-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-E3/51 0.8303
RFQ
ECAD 8158 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
G3SBA60L-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-E3/51 -
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
GBL005-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL005-E3/51 0.7456
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL005 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
GBLA02-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA02-E3/51 0.6630
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA02 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 3 a 单相 200 v
GBLA04-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA04-E3/51 0.6630
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA04 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 3 a 单相 400 v
GBPC101-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC101-E4/51 -
RFQ
ECAD 9300 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-1 GBPC101 标准 GBPC1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 100 V 2 a 单相 100 v
GBPC110-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC110-E4/51 -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-1 GBPC110 标准 GBPC1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
GBPC1208W-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1208W-E4/51 3.9033
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC1208 标准 GBPC-W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V 12 a 单相 800 v
BA158GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 1529年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA158 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BA159-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159-E3/73 0.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜125°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
BA159DGPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159DGPHE3/73 -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BA159GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GP-E3/73 0.5600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BA159GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BY133GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY133GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6943 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 BY133 标准 DO-204AC(DO-15) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1.2 V @ 2 A 2 µs 5 µA @ 1300 V - 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库