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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
V8P10HE3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P10HE3/87A -
RFQ
ECAD 7058 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V8P10 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 680 mv @ 8 a 70 µA @ 100 V -40°C〜150°C 8a -
UGF10GCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF10GCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3160 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 UGF10 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 5a 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C
GDZ15B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ15B-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 GDZ-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±4% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 GDZ15 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 11 V 15 v 42欧姆
BZX55C6V2-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C6V2-Tr 0.1900
RFQ
ECAD 133 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C6V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 2 V 6.2 v 10欧姆
VS-S1408 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1408 -
RFQ
ECAD 6688 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 S1408 - 112-VS-S1408 1
BZX384C5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C5V1-G3-18 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX384-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384C5V1 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 2 µA @ 2 V 5.1 v 60欧姆
ZM4754A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4754A-GS18 0.1089
RFQ
ECAD 5748 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) ZM4754 1 w do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 ZM4754AGS18 Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 29.7 V 39 v 60欧姆
MMBZ4686-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4686-G3-08 -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ4686 350兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 2 V 3.9 v
MMBZ5262B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5262B-E3-08 -
RFQ
ECAD 8563 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5262 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 39 V 51 v 125欧姆
AR1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1FK-M3/h 0.3800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab 雪崩 DO-219AB(SMF) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.6 V @ 1 A 120 ns 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 1a 9.3pf @ 4V,1MHz
G3SBA60L-6088M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-6088M3/51 -
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
GBU8DL-6903M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8DL-6903M3/51 -
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V 3.9 a 单相 200 v
GBU8K-4E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-4E3/51 -
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 3.9 a 单相 800 v
GBU8K-5410E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-5410E3/51 -
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 3.9 a 单相 800 v
BU25H06-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-M3/p 1.9637
RFQ
ECAD 3218 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU25H06 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 BU25H06-M3/PGI Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
BU25H06-E3/A Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-E3/a 1.8414
RFQ
ECAD 1541年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 托盘 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU25H06 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 BU25H06-E3/AGI Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
BU25H06-E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25H06-E3/p 1.9637
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU25H06 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 BU25H06-E3/PGI Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
2KBP02ML-6192E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP02ML-6192E4/72 -
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP02 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
2KBP06ML-6145E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6145E4/72 -
RFQ
ECAD 3294 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP06 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
2KBP06ML-6762E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6762E4/72 -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP06 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 2 a 单相 600 v
2KBP08ML-6581E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08ML-6581E4/72 -
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP08 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
2KBP10M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10M-E4/72 -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP10 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
2KBP10ML-6767E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10ML-6767E4/51 -
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 2KBP10 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
3KBP08M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP08M-E4/72 -
RFQ
ECAD 7983 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3KBP08 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 800 V 3 a 单相 800 v
3N249-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N249-E4/72 -
RFQ
ECAD 1611 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N249 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 400 V 1.5 a 单相 400 v
3N255-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N255-E4/72 -
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N255 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 200 V 2 a 单相 200 v
3N258-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N258-E4/72 -
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N258 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 800 V 2 a 单相 800 v
KBP02ML-6127E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02ML-6127E4/72 -
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP02 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
KBP08ML-6747E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08ML-6747E4/51 -
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP08 标准 kbpm - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 800 V 1.5 a 单相 800 v
VS-130MT160C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-130MT160C 87.4500
RFQ
ECAD 4034 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 MTC 130MT160 标准 MTC 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12 2.05 V @ 300 A 130 a 三期 1.6 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库