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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
FES8DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8DTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FES8FTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8FTHE3/45 -
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FES8 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C 8a -
FESB16BTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16BTHE3_A/p 1.3530
RFQ
ECAD 8400 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16CT-E3/45 0.9182
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16GT-E3/45 0.9504
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
FESB8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8CTHE3_A/p 0.8085
RFQ
ECAD 7828 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8DTHE3_A/p 0.8085
RFQ
ECAD 5137 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8GT-E3/45 0.6409
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 8a -
FESB8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fesb8jthe3_a/p 0.8910
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
FESF16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16AT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 7597 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16BT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 9766 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16DT-E3/45 2.1000
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16FTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16FTHE3_A/p 1.1055
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16GT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16HT-E3/45 1.1220
RFQ
ECAD 4343 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65°C〜150°C 16a -
FESF16HTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16HTHE3_A/p 1.1055
RFQ
ECAD 8667 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 500 V -65°C〜150°C 16a -
FESF8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF8BT-E3/45 0.6320
RFQ
ECAD 6959 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
FESF8CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF8CTHE3_A/p 0.9405
RFQ
ECAD 7799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 8a -
FESF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fesf8jthe3_a/p 0.9405
RFQ
ECAD 3545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
G2SBA20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20-E3/45 -
RFQ
ECAD 3060 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl G2SBA20 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 750 MA 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
G2SBA60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA60-E3/45 -
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl G2SBA60 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 750 MA 5 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
G3SBA20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-E3/45 0.7722
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA20 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 µA @ 200 V 2.3 a 单相 200 v
G3SBA60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-E3/45 1.5700
RFQ
ECAD 5127 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
G5SBA20L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA20L-E3/45 -
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G5SBA20 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 2.8 a 单相 200 v
GBL005-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL005-E3/45 0.7456
RFQ
ECAD 8984 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL005 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
GBL01-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL01-E3/45 1.5800
RFQ
ECAD 832 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL01 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 GBL01E345 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 3 a 单相 100 v
GBL08-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL08-E3/45 1.5800
RFQ
ECAD 2987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL08 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 3 a 单相 800 v
GBLA10-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA10-E3/45 0.6630
RFQ
ECAD 7533 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA10 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V 3 a 单相 1 kV
GBU4A-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4A-E3/45 1.0296
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 GBU4AE345 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
GBU4B-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4B-E3/45 1.0296
RFQ
ECAD 4502 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 3 a 单相 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库