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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
BYV29-300-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV29-300-E3/45 -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 Byv29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 8a -
BYV29-300HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV29-300HE3/45 -
RFQ
ECAD 3861 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 Byv29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 8a -
BYV29F-400-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV29F-400-E3/45 -
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 Byv29 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 8a -
BYV32-150-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-150-E3/45 0.8197
RFQ
ECAD 6642 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 Byv32 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
BYV32-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-200-E3/45 1.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 Byv32 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BYVB32-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-100HE3_A/p 0.9405
RFQ
ECAD 2209 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYVB32 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
BYVB32-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-200-E3/45 1.6900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYVB32 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BYVF32-150-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-150-E3/45 0.9108
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
BYVF32-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-150HE3_A/p 1.0725
RFQ
ECAD 6799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
BYVF32-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-200-E3/45 1.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BYW29-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW29-100-E3/45 1.1400
RFQ
ECAD 605 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 Byw29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a 45pf @ 4V,1MHz
BYW29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW29-200-E3/45 1.1400
RFQ
ECAD 410 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 Byw29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 8a 45pf @ 4V,1MHz
BYW29-200HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW29-200HE3/45 -
RFQ
ECAD 5807 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 Byw29 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 8a 45pf @ 4V,1MHz
BYWB29-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-100-E3/45 0.6674
RFQ
ECAD 7712 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYWB29 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a -
BYWB29-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-150HE3_A/p 0.7590
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYWB29 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 8a -
BYWB29-50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-50-E3/45 0.6674
RFQ
ECAD 7911 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYWB29 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 8a -
BYWB29-50HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWB29-50HE3_A/p 0.7590
RFQ
ECAD 6899 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYWB29 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 8a -
BYWF29-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYWF29-150HE3_A/p 0.7920
RFQ
ECAD 2074 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 BYWF29 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.3 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 8a -
DF005S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF005S-E3/45 0.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF005 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1 a 单相 50 V
DF01MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01MA-E3/45 0.2528
RFQ
ECAD 2673 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) DF01 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
DF01S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01S-E3/45 0.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF01 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
DF02M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF02M-E3/45 0.7800
RFQ
ECAD 468 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) DF02 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1 a 单相 200 v
DF02MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF02MA-E3/45 0.6100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) DF02 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1 a 单相 200 v
DF04SA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF04SA-E3/45 0.2751
RFQ
ECAD 3511 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF04 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V 1 a 单相 400 v
DF06MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF06MA-E3/45 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) DF06 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1 a 单相 600 v
DF15005S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF15005S-E3/45 0.3298
RFQ
ECAD 6334 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF15005 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 50 V
DF1502S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF1502S-E3/45 0.3298
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF1502 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
DFL1504S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DFL1504S-E3/45 0.3298
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DFL1504 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V 1.5 a 单相 400 v
EDF1AM-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EDF1AM-E3/45 1.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) EDF1 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.05 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1 a 单相 50 V
EDF1BS-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EDF1BS-E3/45 0.5991
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 EDF1 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.05 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库