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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
VS-40L15CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40L15CT-N3 -
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 40L15 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-40L15CT-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 15 v 20a 520 mv @ 40 a 10 ma @ 15 V -55°C〜125°C
VS-42CTQ030-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030-N3 -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 42CTQ030 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-42CTQ030-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 20a 570 mv @ 40 a 3 ma @ 30 V -55°C〜150°C
VS-47CTQ020-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-47CTQ020-N3 -
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 47CTQ020 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-47CTQ020-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 20a 450 mv @ 20 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
VS-60APF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APF04-M3 6.5711
RFQ
ECAD 5584 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 60APF04 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-60APF04-M3GI Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 60 A 180 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 60a -
VS-60APH03-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APH03-N3 4.5800
RFQ
ECAD 531 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 603 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-60APH03-N3GI Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.45 V @ 60 A 42 ns 10 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 60a -
VS-60CPU06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CPU06-N3 2.8100
RFQ
ECAD 746 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 60CPU06 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 30a 1.65 V @ 30 A 42 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C
VS-60EPF02-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPF02-M3 6.5711
RFQ
ECAD 1339 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 60 EPF02 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-60EPF02-M3GI Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 60 A 180 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 60a -
VS-61CTQ040-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-61CTQ040-N3 -
RFQ
ECAD 8827 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 61CTQ040 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-61CTQ040-N3GI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 30a 570 mv @ 30 a 1 mA @ 40 V -65°C〜175°C
VS-6CWQ04FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ04FNHM3 2.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 6CWQ04 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-6CWQ04FNHM3GI Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 3.5a 530 mv @ 3 a 2 ma @ 40 V -40°C〜150°C
VS-6CWQ06FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ06FNHM3 1.8800
RFQ
ECAD 7123 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 6CWQ06 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-6CWQ06FNHM3GI Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 3.5a 610 MV @ 3 A 2 ma @ 60 V -40°C〜150°C
VS-80APS08-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APS08-M3 7.9000
RFQ
ECAD 204 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 80APS08 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-80APS08-M3GI Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.17 V @ 80 A 100 µA @ 800 V -40°C〜150°C 80a -
VS-8CWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CWH02FN-M3 0.9700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 8CWH02 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-8CWH02FN-M3GI Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 8a 1.1 V @ 8 A 20 ns 4 µA @ 200 V -65°C〜175°C
VS-8ETL06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETL06-N3 -
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 8etl06 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-8ETL06-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.05 V @ 8 A 170 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8EWL06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWL06FN-M3 1.0300
RFQ
ECAD 845 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 8ewl06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-8EWL06FN-M3GI Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.05 V @ 8 A 170 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8TQ100-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100-N3 -
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 8TQ100 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-8TQ100-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 720 MV @ 8 A 550 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 8a 500pf @ 5V,1MHz
VS-APU3006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-APU3006-N3 6.0800
RFQ
ECAD 486 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 APU3006 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 30 A 45 ns 30 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
VS-ETU0805FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU0805FP-M3 1.0725
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 ETU0805 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-ETU0805FP-M3GI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.25 V @ 8 A 50 ns 9 µA @ 500 V -65°C〜175°C 8a -
VS-ETU0805-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU0805-M3 0.9405
RFQ
ECAD 7641 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 ETU0805 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-ETU0805-M3GI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.25 V @ 8 A 50 ns 9 µA @ 500 V -65°C〜175°C 8a -
VS-HFA04SD60S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04SD60S-M3 1.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 HFA04 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-HFA04SD60S-M3GI Ear99 8541.10.0080 75 - 600 v 1.8 V @ 4 A 3 µA @ 600 V -55°C〜150°C 4a -
VS-HFA08PB60-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08PB60-N3 2.7819
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 HFA08 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-HFA08PB60-N3GI Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 8 A 55 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
VS-HFA16TA60C-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TA60C-N3 -
RFQ
ECAD 8061 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 HFA16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-HFA16TA60C-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 8a 1.7 V @ 8 A 55 ns 5 µA @ 600 V
VS-MBR2545CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2545CT-N3 -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-MBR2545CT-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C
VS-STPS40L40CW-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS40L40CW-N3 4.3300
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 STPS40 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-STPS40L40CW-N3GI Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 40a 590 mv @ 40 a 800 µA @ 40 V -55°C〜150°C
VS-STPS40L45CW-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS40L45CW-N3 3.4200
RFQ
ECAD 4700 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 STPS40 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-STPS40L45CW-N3GI Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 530 mv @ 20 a 1.5 ma @ 45 V -55°C〜150°C
1N4738A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4738A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4738 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
1N5232B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5232B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5232 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 v
BZX55B5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B5V1-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 - 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55B5V1 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 5.1 v 60欧姆
BZX55C12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C12-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 - 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C12 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 9.1 V 12 v 20欧姆
TZX7V5B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX7V5B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX7V5 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 7.5 v 15欧姆
1N5239B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5239 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库