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二极管（（29505）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
VLZ7V5B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ7V5B-GS08 -
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，VLZ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - -65°C〜175°C 表面安装 SOD-80变体 VLZ7V5 500兆 SOD-80四元 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 3 µA @ 6.73 V 7.26 v 8欧姆
VLZ8V2A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ8V2A-GS08 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，VLZ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - -65°C〜175°C 表面安装 SOD-80变体 VLZ8V2 500兆 SOD-80四元 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 7.5 µA @ 7.15 V 7.73 v 8欧姆
VLZ9V1B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ9V1B-GS08 -
RFQ
 ECAD 1388 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，VLZ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - -65°C〜175°C 表面安装 SOD-80变体 VLZ9V1 500兆 SOD-80四元 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 40 µA @ 8.14 V 8.76 v 8欧姆
VLZ9V1C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ9V1C-GS08 -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，VLZ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - -65°C〜175°C 表面安装 SOD-80变体 VLZ9V1 500兆 SOD-80四元 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 40 µA @ 8.39 V 9.07 v 8欧姆
UGE18CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE18CCT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UGE18 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 18a 1.2 V @ 20 A 30 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
UGE18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE18DCT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UGE18 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 18a 1.2 V @ 20 A 30 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
V10150SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10150SHM3/4W -
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V10150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -40°C〜150°C 10a -
V10150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10150S-M3/4W 0.5914
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V10150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -40°C〜150°C 10a -
V20100SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100SGHM3/4W -
RFQ
 ECAD 6801 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
V20100SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100SG-M3/4W 0.6057
RFQ
 ECAD 9993 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
V20100SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100SHM3/4W -
RFQ
 ECAD 6717 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
V20100S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100S-M3/4W 0.6493
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
V20120SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120SGHM3/4W -
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V20120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 120 v 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
V20120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120SG-M3/4W 0.5986
RFQ
 ECAD 3023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 120 v 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
V20120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120S-M3/4W 0.6626
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 120 v 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
V30100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100C-M3/4W 1.7500
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V30100SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SGHM3/4W -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 30a -
V30100SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SG-M3/4W 0.7031
RFQ
 ECAD 7512 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 30a -
V30100SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SHM3/4W -
RFQ
 ECAD 1597年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1 V @ 30 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 30a -
V30M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30M100M-E3/4W 0.5978
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30M100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 15a 930 MV @ 15 A 1 mA @ 100 V -55°C 〜175°C
V30M120M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30M120M-E3/4W 0.5978
RFQ
 ECAD 8640 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V30M120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 15a 1.07 V @ 15 A 1 ma @ 120 V -55°C 〜175°C
V40100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100CHM3/4W -
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V40100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 20a 730 mv @ 20 a 1 mA @ 100 V -40°C〜175°C
V40100GHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100GHM3/4W -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V40100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V40100G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100G-M3/4W 0.9851
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V40100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V40120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120C-M3/4W 1.3490
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V40120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 20a 880 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
V40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40M120C-M3/4W 1.2106
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101，TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V40M120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 20a 890 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -40°C〜175°C
VB10150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB10150C-M3/4W 0.6795
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB VB10150 肖特基 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 5a 1.41 V @ 5 A 100 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VB10150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB10150S-M3/4W 0.6527
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB VB10150 肖特基 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C 10a -
VB20100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100SG-E3/4W 0.4950
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB VB20100 肖特基 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
VB20150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20150C-M3/4W 0.8694
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB VB20150 肖特基 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 10a 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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