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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
MBR10H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR10 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C 10a -
SS210HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS210HE3_A/i 0.1724
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS210 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 mv @ 3 a 30 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1.5a -
UGB15JT-E3H/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB15JT-E3H/i -
RFQ
ECAD 7614 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB UGB15 标准 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 15 A 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C
UGB8AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8AT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 TO-263AB 下载 到达不受影响 112-ugb8at-e3/45 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a 45pf @ 4V,1MHz
RGP02-16E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-16E-M3/54 -
RFQ
ECAD 6123 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1600 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1600 V -65°C〜175°C 500mA 5pf @ 4V,1MHz
SS22HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22HE3_A/H 0.1878
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS22 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA @ 20 V -55°C〜150°C 2a -
BZG05B22-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B22-M3-08 0.1980
RFQ
ECAD 4275 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG05B-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG05B22 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 16 V 22 v 25欧姆
FGP20D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP20D-E3/73 -
RFQ
ECAD 5676 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 FGP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 2 a 35 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 2a 45pf @ 4V,1MHz
BZD27C4V3P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C4V3P-E3-08 0.4100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27C 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C4V3 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 4.3 v 7欧姆
VS-T70HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70HF100 28.4660
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 D-55 T模块 T70 标准 D-55 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 15 ma @ 1000 V 70a -
MBRF10H150CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H150CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5240 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 880 mv @ 5 a 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C
UG30APT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG30APT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5803 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 UG30 标准 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 30a 1.15 V @ 30 A 35 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C
VS-10ETF06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF06S-M3 0.9658
RFQ
ECAD 1927年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10ETF06 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 10a -
RGP30KHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30KHE3/73 -
RFQ
ECAD 1602 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 RGP30 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 3a -
UG1B-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG1B-M3/54 0.0997
RFQ
ECAD 1692年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UG1 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
BYM11-50-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM11-50-E3/96 0.1190
RFQ
ECAD 3374 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) BYM11 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BZD27B110P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B110P-E3-08 0.1155
RFQ
ECAD 5029 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27B 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27B110 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 82 V 110 v 250欧姆
AZ23B6V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B6V2-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 8384 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B6V2 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对公共阳极 100 na @ 2 V 6.2 v 10欧姆
VS-HFA16TB120STRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TB120STRLP -
RFQ
ECAD 8584 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HFA16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 3 V @ 16 A 135 ns 20 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 16a -
VS-30ETH06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06STRR-M3 1.6900
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 30eth06 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.6 V @ 30 A 35 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
AS4PJHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PJHM3/87A -
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-277,3-PowerDfn AS4 雪崩 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 962 MV @ 2 A 1.8 µs 10 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2.4a 60pf @ 4V,1MHz
S4PDHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pdhm3_b/i -
RFQ
ECAD 1240 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn S4PD 标准 TO-277A(SMPC) 下载 112-S4PDHM3_B/ITR Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 4 A 2.5 µs 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 4a 30pf @ 4V,1MHz
GP10YHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10YHE3/54 -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.3 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1600 V -65°C〜150°C 1a 5pf @ 4V,1MHz
GBPC2506/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2506/1 -
RFQ
ECAD 7069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC2506 标准 GBPC - Rohs不合规 不适用 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
S3J-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3J-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S3J 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 2.5 A 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYV26C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26C-TAP 0.6700
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.5 V @ 1 A 30 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a -
FESE16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESE16CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FESE16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
MMBZ5257B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5257B-E3-18 -
RFQ
ECAD 3598 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5257 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 V 33 V 58欧姆
EGF1CHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1che3_a/i -
RFQ
ECAD 1339 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214BA EGF1 标准 DO-214BA(GF1) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1 V @ 1 A 50 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
B150-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B150-E3/5AT 0.0752
RFQ
ECAD 2969 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA B150 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 750 MV @ 1 A 200 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库