SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 重量( kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
RGP30GL-5003E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30GL-5003E3/72 -
RFQ
ECAD 3301 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 * (TB) 过时的 RGP30 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000
BZT03C110-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C110-Tr 0.2640
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.45% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C110 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 82 V 110 v 250欧姆
BZX84B11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B11-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-BZX84B11-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 V 11 V 20欧姆
VI30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100C-E3/4W 1.8900
RFQ
ECAD 915 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30100 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
240NQ045R Vishay General Semiconductor - Diodes Division 240NQ045R -
RFQ
ECAD 5310 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67半粉 240NQ045 肖特基 D-67半粉 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *240NQ045R Ear99 8541.10.0080 20 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 610 MV @ 240 A 20 ma @ 45 V 240a 10300pf @ 5V,1MHz
ES07B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07B-GS18 0.4200
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab ES07 标准 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 980 mv @ 1 a 25 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1.2a 4pf @ 4V,50MHz
GI818-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI818-E3/54 -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 GI818 标准 DO-204AC(DO-15) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 750 ns 10 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a -
1N5251B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5251B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5251 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 17 V 22 v 29欧姆
V20100R-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100R-E3/4W -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 900 mv @ 10 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C
MBR25H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
DZ23C24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C24-E3-08 0.0415
RFQ
ECAD 3811 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 DZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DZ23 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对普通阴极 100 na @ 18 V 24 V 80欧姆
VS-30CTQ060SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060SPBF -
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 30CTQ060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 620 MV @ 15 A 800 µA @ 60 V -55°C〜150°C
SMZG3795B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3795B-E3/52 0.2407
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMZG3795 1.5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 750 5 µA @ 13.7 V 18 V 12欧姆
SE60PWGC-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE60PWGC-M3/i 0.2714
RFQ
ECAD 1791年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SE60 标准 Slimdpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-SE60PWGC-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 1.2 µs 10 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 22pf @ 4V,1MHz
VS-30CTH03PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH03PBF -
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 30cth03 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 15a 1.25 V @ 15 A 36 NS 40 µA @ 300 V -65°C〜175°C
BYS12-90HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS12-90HE3_A/H 0.1359
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA BYS12 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 750 MV @ 1 A 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C 1.5a -
VT760-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT760-M3/4W 0.4373
RFQ
ECAD 1210 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT760 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT760M34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mV @ 7.5 A 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C 7.5a -
SMPZ3919B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3919B-M3/85A 0.0825
RFQ
ECAD 3035 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-220aa SMPZ3919 500兆 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 200 µA @ 3 V 5.6 v 5欧姆
MMSZ5262B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5262B-HE3_A-08 0.0549
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 500兆 SOD-123 下载 112-MMSZ5262B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 39 V 51 v 125欧姆
V30100SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SHM3/4W -
RFQ
ECAD 1597年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V30100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 30 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 30a -
TLZ33C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ33C-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TLZ33 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 40 NA @ 29.4 V 33 V 65欧姆
RGF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1M-E3/67A 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214BA RGF1 标准 DO-214BA(GF1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V,1MHz
40CTQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40CTQ045 -
RFQ
ECAD 8403 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 40ctq 肖特基 TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 530 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -55°C〜150°C
EGF1B-1HE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1B-1HE3/5CA -
RFQ
ECAD 9354 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214BA EGF1 标准 DO-214BA(GF1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
VS-STT250M14MPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STT250M14MPBF -
RFQ
ECAD 6786 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - - STT250 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) VSSTT250M14MPBF Ear99 8541.10.0080 2 - - -
MMBZ5249C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5249C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 3426 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5249 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 14 V 19 v 23欧姆
GI1-1200GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1-1200GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 8391 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 GI1 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 1 A 1.5 µs 10 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 1a -
EGF1D-2HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1D-2HE3/67A -
RFQ
ECAD 7078 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214BA EGF1 标准 DO-214BA(GF1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
VS-240U60DM16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-240U60DM16 56.5975
RFQ
ECAD 2995 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 240U60 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS240U60DM16 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 60 V 1.33 V @ 750 A -40°C〜180°C 320a -
1N5248C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5248C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% 175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5248 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 14 V 18 V 21欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库