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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZT03C30-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C30-TAP 0.6400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (CT) 积极的 ±6.67% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C30 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 22 V 30 V 15欧姆
BZT03C43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C43-TAP 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (CT) 积极的 ±6.98% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C43 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 33 V 43 V 45欧姆
BZT03C47-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C47-TAP 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (CT) 积极的 ±6.38% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C47 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 36 V 47 V 45欧姆
BZT03C62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C62-TAP 0.2640
RFQ
ECAD 5869 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 积极的 ±6.45% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C62 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 47 V 62 v 80欧姆
BZT03C6V8-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C6V8-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 积极的 ±5.88% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C6V8 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 mA @ 5.1 V 6.8 v 2欧姆
BZT03C8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C8V2-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 积极的 ±6.1% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C8V2 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 600 µA @ 6.2 V 8.2 v 2欧姆
BZT03C91-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C91-TAP 0.2640
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 积极的 ±6.04% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C91 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 68 V 91 v 200欧姆
BZT03D100-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D100-TAP -
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 75 V 100 v 200欧姆
BZT03D10-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D10-TAP -
RFQ
ECAD 1892年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 10 µA @ 7.5 V 10 v 4欧姆
BZT03D120-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D120-TAP -
RFQ
ECAD 8953 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±5.42% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 91 V 120 v 250欧姆
BZT03D12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D12-TAP -
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±5.42% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 3 µA @ 9.1 V 12 v 7欧姆
BZT03D200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D200-TAP -
RFQ
ECAD 4043 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 150 V 200 v 500欧姆
BZT03D20-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D20-TAP -
RFQ
ECAD 4509 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 15 V 20 v 15欧姆
BZT03D36-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D36-TAP -
RFQ
ECAD 9332 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±5.56% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 27 V 36 V 40欧姆
BZT03D43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D43-TAP -
RFQ
ECAD 8243 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±6.98% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 33 V 43 V 45欧姆
BZT03D9V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D9V1-TAP -
RFQ
ECAD 3580 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 过时的 ±6.04% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 20 µA @ 6.8 V 9.1 v 4欧姆
BZW03C110-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C110-TAP -
RFQ
ECAD 2540 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 82 V 110 v 125欧姆
BZW03C130-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C130-TAP -
RFQ
ECAD 4577 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 100 V 130 v 190欧姆
BZW03C13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C13-TAP -
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 4 µA @ 10 V 13 V 2.5欧姆
BZW03C180-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C180-TAP -
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 130 V 180 v 210欧姆
BZW03C200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C200-TAP -
RFQ
ECAD 4109 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 150 V 200 v 500欧姆
BZW03C220-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C220-TAP -
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 160 V 220 v 700欧姆
BZW03C24-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C24-TAP -
RFQ
ECAD 5589 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 18 V 24 V 3.5欧姆
BZW03C33-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C33-TAP -
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 24 V 33 V 10欧姆
BZW03C39-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C39-TAP -
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 30 V 39 v 14欧姆
BZW03C47-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C47-TAP -
RFQ
ECAD 6196 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 36 V 47 V 25欧姆
BZW03C51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C51-TAP -
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 39 V 51 v 27欧姆
BZW03C56-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C56-TAP -
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 43 V 56 v 35欧姆
BZW03C68-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C68-TAP -
RFQ
ECAD 1929年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 51 V 68 v 45欧姆
BZW03C91-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C91-TAP -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 68 V 91 v 75欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库