SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5234B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5234B-tr 0.2300
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5234 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
1N5236B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5236B-Tr 0.1900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5236 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
1N5244B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5244B-tr 0.1900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5244 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
1N5245B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5245B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5245 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 11 V 15 v 16欧姆
1N5246B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5246B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5246 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 12 V 16 V 17欧姆
1N5250B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5250 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
1N5262B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5262B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 77 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5262 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 39 V 51 v 125欧姆
1N5626-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5626-Tr 1.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 1N5626 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BAT85S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT85S-Tr 0.3800
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAT85 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C 200mA 10pf @ 1V,1MHz
BY228TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division By228tr 1.1300
RFQ
ECAD 725 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 By228 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1500 v 1.5 V @ 5 A 20 µs 5 µA @ 1500 V 140°C (最大) 3a -
BYV26C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26C-TAP 0.6700
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.5 V @ 1 A 30 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a -
BYV26E-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26e-tr 0.7200
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 2.5 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1a -
VT2045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045BP-M3/4W 1.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT2045 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 20a -
VFT2045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2045BP-M3/4W 1.2900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 VFT2045 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VFT2045BPM34W Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 20a -
VT3045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3045BP-M3/4W 1.6100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT3045 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3045BPM34W Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 30 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 30a -
VBT3045BP-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3045BP-E3/8W 1.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 30 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 30a -
BYV28-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-150-Tr 1.3900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv28 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 5 A 30 ns 1 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 3.5a -
BYV98-200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv98-200-Tr 1.2600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw36-tr 0.7200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW36 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2a -
SD103A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103A-Tr 0.3500
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 30 V 125°c (最大) - 50pf @ 0v,1MHz
SD103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103C-Tr 0.3500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 10 V 125°c (最大) - 50pf @ 0v,1MHz
SF1600-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF1600-Tr 0.7200
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 SF1600 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1600 v 3.4 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1600 V -55°C 〜175°C 1a -
1N4150W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-E3-08 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123 1N4150 标准 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V 150°C (最大) 200mA 2.5pf @ 0v,1MHz
BAS40-05-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-05-E3-08 0.3800
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 40 V 200ma(dc) 1 V @ 40 mA 5 ns 100 na @ 30 V 125°c (最大)
BAT54A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-E3-18 0.3200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大)
BAT54-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54-E3-08 0.2800
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大) 200mA 10pf @ 1V,1MHz
BZD27C15P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C15P-E3-08 0.5300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27C 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 11 V 15 v 10欧姆
BZG03C10TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C10TR -
RFQ
ECAD 6039 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG03C 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±6% - 表面安装 do-214ac,SMA BZG03 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 500 mA 10 µA @ 7.5 V 10 v 4欧姆
BZG05C4V7TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7TR -
RFQ
ECAD 1748年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 ±6% - 表面安装 do-214ac,SMA BZG05 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 4.7 v 13欧姆
BZX84B10-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B10-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84B10 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库