SIC
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参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
IV1D12020T3 Inventchip IV1D12020T3 17.9500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12020T3 Ear99 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 30A（DC） 1.8 V @ 20 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IV1D12010O2 Inventchip IV1D12010O2 11.0300
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12010O2 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 28a 575pf @ 1V，1MHz
IV1D12030U3 Inventchip IV1D12030U3 23.8500
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12030U3 Ear99 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 44A（DC） 1.8 V @ 15 A 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IV1D12015T2 Inventchip IV1D12015T2 13.6300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12015T2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 44a 888pf @ 1V，1MHz
IV1D12010T2 Inventchip IV1D12010T2 11.0300
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12010T2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 30a 575pf @ 1V，1MHz
IV1D12020T2 Inventchip IV1D12020T2 17.9500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12020T2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 120 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 54a 1114pf @ 1V，1MHz
IV1D06006P3 Inventchip IV1D060063 4.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-3 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 6 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 16.7a 224pf @ 1V，1MHz
IV1D12005O2 Inventchip IV1D12005O2 6.1300
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12005O2 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 17a 320pf @ 1V，1MHz
IV1D12040U2 Inventchip IV1D12040U2 27.8300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D12040U2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 102A（DC） 1.8 V @ 40 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IV1D06006O2 Inventchip IV1D06006O2 4.0900
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4084-IV1D06006O2 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.65 V @ 6 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 17.4a 212pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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