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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GL34J-CT | 0.3935 | ![]() | 3561 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | GL34J | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL34J-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 500 mA | 1.5 µs | 5 µA @ 600 V | -50°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||
![]() | GL1M-CT | 0.3985 | ![]() | 5758 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL1M-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | PX1500G-CT | 2.5550 | ![]() | 297 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | PX1500 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-PX1500G-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 15 A | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
![]() | sl1k-ct | 0.2007 | ![]() | 858 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | SOD-123F(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-SL1K-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µs | 1 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | PX1500D-CT | 2.1564 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | PX1500 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-PX1500D-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 15 A | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
![]() | S2D-CT | 0.2017 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S2D | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S2D-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.15 V @ 2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||
![]() | S5D-CT | 0.6357 | ![]() | 3197 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S5D-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 5 A | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | P1200B-CT | 1.9280 | ![]() | 726 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P1200B | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P1200B-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 950 mv @ 12 a | 10 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||
![]() | BY255-CT | 0.2428 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | BY255 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-BY255-CT | 8541.10.0000 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1300 v | 1.1 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1.3 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||
![]() | S3W-CT | 1.3207 | ![]() | 84 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S3W-CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1.6 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||
![]() | S16ASD2-CT | 2.3502 | ![]() | 2289 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | S16ASD2 | 标准 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S16ASD2-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | P1200D-CT | 1.8804 | ![]() | 2869 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P1200D | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P1200D-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 950 mv @ 12 a | 10 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||
![]() | P2000KTL-CT | 3.0850 | ![]() | 6438 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P2000K | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P2000KTL-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 20 A | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 20a | - | |||||||||
![]() | BY880-1400-CT | 1.7415 | ![]() | 6327 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | BY880 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-BY880-1400-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.1 V @ 8 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1.4 V | -50°C〜175°C | 8a | - | |||||||||
![]() | GL34G-CT | 0.3920 | ![]() | 3152 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | GL34G | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL34G-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 500 mA | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||
![]() | 到550-400-CT | 0.2436 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 到550 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-1550-400-CT | Ear99 | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 5a | - | ||||||||
![]() | SM5404-CT | 0.5172 | ![]() | 434 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | SM5404 | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-SM5404-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | P600M-CT | 0.6300 | ![]() | 7516 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P600m | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-p600m-ct | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 6 A | 1.5 µs | 10 µA @ 1 V | -50°C〜175°C | 6a | - | |||||||||
![]() | PB1008 | 1.2279 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,PB | 标准 | pb | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 7 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||
![]() | UF4003 | 0.0385 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | UF400 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-UF4003TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | UF4004 | 0.0385 | ![]() | 330 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | UF400 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-UF4004TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | MMSZ5232B | 0.0304 | ![]() | 909 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-MMSZ5232BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11欧姆 | ||||||||||||
![]() | KBPC606 | 1.0840 | ![]() | 4760 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-6 | 标准 | KBPC6 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 V @ 3 A | 5 µA @ 600 V | 3.8 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||
![]() | gbu6d | 0.3371 | ![]() | 17 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU6D | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 4.2 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | KBP210G | 0.1477 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | KBP210 | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-KBP210G | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | 1.2 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | S3B | 0.0705 | ![]() | 369 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-S3BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 1N5371B | 0.2073 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5371BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 500 NA @ 45.5 V | 60 V | 40欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4936 | 0.0312 | ![]() | 15 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N4936TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 1700 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | PB1000 | 1.2279 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,PB | 标准 | pb | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 50 V | 7 a | 单相 | 50 V | |||||||||||||
![]() | 1N5345B | 0.2073 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5345BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 10 µA @ 6.6 V | 8.7 v | 2欧姆 |
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