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二极管（（5304）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
GBI25K	0.9675	RFQ	4203	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBI	标准		GBI	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBI25K		8541.10.0000	500			1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		4.2 a		单相	800 v
GBU10G-T	1.4897	RFQ	7194	diotec半导体	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBU10G-T		8541.10.0000	1,000			1 V @ 5 A		5 µA @ 400 V		7 a		单相	400 v
KBPC10/15/2510WP	2.5227	RFQ	2	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC WP	标准		KBPC WP	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC10/15/2510WP		8541.10.0000	160			1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 1000 V		25 a		单相	1 kV
KBPC2508I	3.2932	RFQ	8543	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC25	标准		KBPC25	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC2508I		8541.10.0000	240			1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
ZPD18B	0.0225	RFQ	15	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-50°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-zpd18btr		8541.10.0000	10,000					100 na @ 14 V						18 V	18欧姆
1N5408KR	0.0995	RFQ	2501	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	标准		DO-15（do-204ac）	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-1N5408KRTR		8541.10.0000	4,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 1000 V	-50°C〜175°C	3a	-
BYP25A05	1.0184	RFQ	2314	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-208AA	标准		DO-208	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-BYP25A05TR		8541.10.0000	300	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.1 V @ 25 A	1.5 µs	100 µA @ 50 V	-50°C〜215°C	25a	-
CS10D	1.7165	RFQ	1	diotec半导体	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）	肖特基		DFM	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-CS10D		8541.10.0000	250			500 mv @ 1 A		500 µA @ 20 V		1 a		单相	20 v
B80C7000A	1.4962	RFQ	4	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-B80C7000A		8541.10.0000	500			1 V @ 5 A		5 µA @ 160 V		4.8 a		单相	160 v
B125C7000A	1.5729	RFQ	25	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-B125C7000A		8541.10.0000	500			1 V @ 5 A		5 µA @ 250 V		4.8 a		单相	250 v
UFT800J	0.7084	RFQ	8711	diotec半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-UFT800J		8541.10.0000	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.75 V @ 8 A	35 ns	5 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	8a	-
GBV15M	0.4599	RFQ	6073	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBV15M		8541.10.0000	1,000			1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 1000 V		10.5 a		单相	1 kV
DB15-16	5.0182	RFQ	3125	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	5平方英尺，DB-35	标准		DB-35	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-DB15-16		8541.10.0000	50			1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 1600 V		25 a		三期	1.6 kV
B40C1500B	0.9390	RFQ	13	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-B40C1500B		8541.10.0000	500			1.1 V @ 2 A		5 µA @ 80 V		1.8 a		单相	80 V
GBU12B	1.5875	RFQ	5	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBU12B		8541.10.0000	1,000			1 V @ 12 A		5 µA @ 100 V		8.4 a		单相	100 v
CS30D	1.7165	RFQ	1	diotec半导体	-	管子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.300英寸，7.62mm）	肖特基		DFM	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-CS30D		8541.10.0000	250			700 mv @ 1 A		500 µA @ 60 V		1 a		单相	60 V
KBPC3506FP	2.5574	RFQ	2	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，KBPC35	标准		KBPC35	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC3506FP		8541.10.0000	240			1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 600 V		35 a		单相	600 v
KBPC5012FP	4.0813	RFQ	480	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方，KBPC	标准		KBPC	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC5012FP		8541.10.0000	240			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 1200 V		50 a		单相	1.2 kV
GBI20K	0.8761	RFQ	1137	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBI	标准		GBI	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBI20K		8541.10.0000	500			1.1 V @ 10 A		5 µA @ 800 V		3.6 a		单相	800 v
B380R	0.4500	RFQ	62	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	标准		沃格	下载	不适用	不适用	供应商不确定		Ear99	8541.10.0000	1,000			1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
SB1290	0.6588	RFQ	3172	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向	肖特基		轴向	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-SB1290TR		8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	90 v	830 mv @ 12 a		500 µA @ 90 V	-50°C〜150°C	12a	-
ZPD6.8	0.0211	RFQ	5959	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-ZPD6.8Tr		8541.10.0000	10,000					100 na @ 3 V						6.8 v	4.5欧姆
KBPC10/15/2506WP	2.5227	RFQ	6	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，KBPC	标准		KBPC	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC10/15/2506WP		8541.10.0000	160			1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 600 V		25 a		单相	600 v
P2000b	0.7141	RFQ	4797	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向	标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-P2000BTR		8541.10.0000	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.1 V @ 20 A	1.5 µs	10 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	20a	-
GBI10A	0.6024	RFQ	1	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBI	标准		GBI	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-GBI10A		8541.10.0000	500			1.1 V @ 5 A		5 µA @ 50 V		3 a		单相	50 V
fe1d	0.0664	RFQ	8	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	标准		do15/do204ac	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-fe1dtr		8541.10.0000	4,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	980 mv @ 1 a	50 ns	2 µA @ 200 V	-50°C〜175°C	1a	-
P2000m	0.7629	RFQ	30	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向	标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-P2000mtr		8541.10.0000	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 20 A	1.5 µs	10 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C	20a	-
GBS4K	0.9390	RFQ	2	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	标准		4-sip	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-GBS4K		8541.10.0000	500			1.05 V @ 2 A		5 µA @ 800 V		2.3 a		单相	800 v
FR2M	0.1027	RFQ	240	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-FR2MTR		8541.10.0000	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.3 V @ 2 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C	2a	-
UGB8BT	0.6122	RFQ	8573	diotec半导体	-	管子	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	标准		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ugb8bt		8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1 V @ 8 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	8a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（5304）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²