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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | GBS4B | 0.9390 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-GBS4B | 8541.10.0000 | 500 | 1.05 V @ 2 A | 5 µA @ 100 V | 2.3 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||
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![]() | B80R | 0.4400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | 标准 | 沃格 | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 160 V | 2 a | 单相 | 160 v | |||||||||||
![]() | B380D | 0.2309 | ![]() | 317 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) | 标准 | DFM | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-B380d | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | 1 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||
![]() | KBPC10/15/2501WP | 2.5227 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC WP | 标准 | KBPC WP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC10/15/2501WP | 8541.10.0000 | 160 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||
![]() | DB35-10 | 4.3940 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB35-10 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 三期 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | UF5405 | 0.1295 | ![]() | 120 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-UF5405TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.7 V @ 3 A | 75 ns | 5 µA @ 500 V | -50°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
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![]() | GBV15M | 0.4599 | ![]() | 6073 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBV15M | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 10.5 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | DB35-08 | 4.3940 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB35-08 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 a | 三期 | 800 v | ||||||||||||
![]() | gbu12g | 1.5875 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU12G | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 12 A | 5 µA @ 400 V | 8.4 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||
![]() | GBI15J | 0.7669 | ![]() | 14 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI15J | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.2 a | 单相 | 600 v |
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