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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | 1N5418-4L bk | - | ![]() | 1576年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 1N5418 | - | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CPR3F-010 bk | - | ![]() | 8288 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CPR3F | - | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CPR3F-060 bk | - | ![]() | 2625 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CPR3F | - | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5624 bk | - | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5624 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | CPR1F-010 bk | - | ![]() | 3950 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CPR1F | - | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CPR4F-040 bk | - | ![]() | 6692 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | CPR4F | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 10 mA | 250 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5420 bk | - | ![]() | 7293 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5420 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.1 V @ 10 mA | 400 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | 110pf @ 12V,1MHz | |||||||||||
![]() | CEN619 bk | - | ![]() | 1971年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CEN619 | - | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5189 tr | - | ![]() | 1533年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5189 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.5 V @ 10 mA | 300 ns | 2 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | CPR1U-040 bk | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | CPR1U | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.6 V @ 1.5 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 35pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5614 tr | - | ![]() | 4424 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5614 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 na @ 200 V | -65°C 〜200°C | 1a | 35pf @ 12v,130kHz | |||||||||||
![]() | 1N5625 bk | - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5625 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | 1N5621 bk | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5621 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 1a | 18pf @ 5V,1MHz | |||||||||||
![]() | CPR5U-040 bk | - | ![]() | 9978 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | CPR5U | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 10 mA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | 100pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5550 bk | - | ![]() | 4108 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5550 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 10 mA | 2 µs | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | CPR4-010 bk | - | ![]() | 3056 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CPR4 | - | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5062 bk | - | ![]() | 1827年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5062 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 1 A | 200 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5620 bk | - | ![]() | 9064 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5620 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 1a | 35pf @ 12v,130kHz | |||||||||||
![]() | 1N5062 Tr | - | ![]() | 4866 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5062 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 1 A | 200 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5188 TR | - | ![]() | 1030 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5188 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 10 mA | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | 1N5627 tr | - | ![]() | 1631年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5627 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N4099-WN | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | - | 1514-CPZ58X-1N4099-WN | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 200欧姆 | ||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N5237B-CT | - | ![]() | 5461 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 1514-CPZ58X-1N5237B-CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||||||
![]() | CPZ58X-CMPZ5226B-WR | - | ![]() | 6709 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 1514-CPZ58X-CMPZ5226B-WR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N4623-WN | - | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | 1514-CPZ58X-1N4623-WN | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600欧姆 | |||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N4692-WN | - | ![]() | 7090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | 1514-CPZ58X-1N4692-WN | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 v | ||||||||||||||
![]() | CPZ58X-BZX55C6V8-CT | - | ![]() | 4064 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5.88% | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | 1514-CPZ58X-BZX55C6V8-CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 3 V | 6.8 v | 8欧姆 | |||||||||||||
![]() | cmdd6001 tr pbfree | 0.7000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDD6001 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 75 v | 1.1 V @ 100 mA | 3 µs | 500 PA @ 75 V | -65°C〜150°C | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | CMHZ5248B TR PBFRE | 0.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | CMHZ5248 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | |||||||||
![]() | CMDZ5231B bk pbfree | 0.0900 | ![]() | 1298 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ5231 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 |
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