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二极管（（2906）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4679 TR PBFRE	0.4530	RFQ	8825	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		5 µA @ 1 V						2 v
1N4681 TR PBFRE	0.2190	RFQ	7634	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 1 V						2.4 v
1N4682 TR PBFRE	0.2190	RFQ	5649	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 1 V						2.7 v
1N4683 bk pbfree	0.2190	RFQ	6175	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		800 na @ 1 V						3 V
1N4684 bk pbfree	0.2190	RFQ	4822	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		7.5 µA @ 1.5 V						3.3 v
1N4687 bk pbfree	0.2190	RFQ	8519	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		4 µA @ 2 V						4.3 v
1N4688 TR PBFRE	0.2190	RFQ	1624年	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		10 µA @ 3 V						4.7 v
1N4689 TR PBFRE	0.2190	RFQ	2387	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		10 µA @ 3 V						5.1 v
1N4699 bk pbfree	0.2190	RFQ	9527	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 9.1 V						12 v
1N4705 bk pbfree	0.2190	RFQ	1749年	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 13.6 V						18 V
1N4706 TR PBFRE	0.2190	RFQ	4911	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4706		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		50 NA @ 14.4 V						19 v
1N4707 bk pbfree	0.2190	RFQ	2378	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 15.2 V						20 v
1N4708 bk pbfree	0.2190	RFQ	5446	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 16.7 V						22 v
1N4709 TR PBFRE	0.2190	RFQ	7586	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 18.2 V						24 V
1N4710 bk pbfree	0.2190	RFQ	9623	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 19 V						25 v
CBR1-020	-	RFQ	8932	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4圆，一个情况		标准		案件	下载		不适用		CBR1-020 PBFRE	Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 1 A		10 µA @ 200 V		1.5 a		单相	200 v
CBR1-L010M PBFRE	-	RFQ	9303	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR1-L010	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 A		10 µA @ 100 V		1.5 a		单相	100 v
CBR1-L060M PBFRE	-	RFQ	8537	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR1-L060	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
CBR1-L080M	0.5794	RFQ	7554	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR1-L080	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR1-L080M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	35			1 V @ 1 A		10 µA @ 800 V		1.5 a		单相	800 v
CBR2-L010M	0.5562	RFQ	6714	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L010	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR2-L010M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	25			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
CBR2-L020M PBFRE	-	RFQ	2838	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L020	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	35			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 200 V		2 a		单相	200 v
CBR2-L060M	0.5639	RFQ	3380	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L060	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR2-L060M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	35			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 600 V		2 a		单相	600 v
CBR2-L080M	0.5639	RFQ	3793	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip	CBR2-L080	标准		BM	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	CBR2-L080M PBFRE	Ear99	8541.10.0080	25			1.1 V @ 2 A		10 µA @ 800 V		2 a		单相	800 v
CDH333 Tr	-	RFQ	7257	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	CDH333	标准		do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	1.15 V @ 300 mA	3 µs	3 na @ 125 V	-65°C 〜200°C	200mA	-
CR1F-100 Tr	0.0718	RFQ	4976	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	CR1F-100	标准		do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.2 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
1N4711 TR PBFRE	0.2190	RFQ	7976	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 20.4 V						27 V
1N4712 bk pbfree	0.2190	RFQ	8640	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 21.2 V						28 V
1N4713 bk pbfree	0.2190	RFQ	9232	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 22.8 V						30 V
1N4716 TR PBFRE	0.2190	RFQ	1317	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 29.6 V						39 v
1N4754A bk pbfree	0.0522	RFQ	6448	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（2906）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²