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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4708 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 16.7 V | 22 v | |||||||||||||||
![]() | CBR1-010 | - | ![]() | 5602 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-010 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||
![]() | CBR1-040 | - | ![]() | 1663年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-040 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||||
![]() | CBR1-100 | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-100 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | CBR1-L020M | - | ![]() | 5167 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | CBR1-L020 | 标准 | BM | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | CBR1-L020M PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||
![]() | CBR1-L040M | 0.5408 | ![]() | 4140 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | CBR1-L040 | 标准 | BM | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | CBR1-L040M PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | ||||||||||||
![]() | CBR1-L100M | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | CBR1-L100 | 标准 | BM | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | CBR1-L100M PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||
![]() | 1N4714 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 5019 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 25 V | 33 V | |||||||||||||||
1N4756A bk pbfree | 0.0522 | ![]() | 5391 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80欧姆 | |||||||||||||||
1N5921B tr pbfree | - | ![]() | 5370 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 3欧姆 | ||||||||||||||||
1N5923B bk pbfree | - | ![]() | 3846 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||
1N5926B tr pbfree | - | ![]() | 7316 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 6欧姆 | ||||||||||||||||
1N5931B bk pbfree | - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12欧姆 | ||||||||||||||||
1N5956B tr | - | ![]() | 3127 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 152 V | 200 v | 1200欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N958B TR PBFRE | 0.0734 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 75 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 5.5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | CBRDFSH2-100 TR13 | 0.6600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 4-DLFN | CBRDFSH2 | 肖特基 | 4-BR DFN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 850 mv @ 2 a | 200 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||
![]() | CBRDFSH2-40 TR13 | 0.6400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 4-DLFN | CBRDFSH2 | 肖特基 | 4-BR DFN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 520 mv @ 2 a | 200 µA @ 40 V | 2 a | 单相 | 40 V | ||||||||||||
![]() | CMKZ5224B BK | - | ![]() | 8538 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 75 µA @ 1 V | 2.8 v | 30欧姆 | |||||||||||||
![]() | CMKZ5254B BK | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | |||||||||||||
![]() | CMKZ5234B TR | - | ![]() | 3570 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | |||||||||||||
![]() | CMKZ5240B TR | - | ![]() | 8620 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | |||||||||||||
![]() | CMKZ5245B TR | - | ![]() | 1827年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||
![]() | CMKZ5249B TR | - | ![]() | 5012 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 19 v | 23欧姆 | |||||||||||||
![]() | CMKZ5261B TR | - | ![]() | 7159 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 36 V | 47 V | ||||||||||||||
![]() | CBRSDSH2-100 | - | ![]() | 2393 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -50°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 肖特基 | 4-smdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CBRSDSH2-100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 700 mv @ 2 a | 50 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||
![]() | Cll5230b bk锡/铅 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 | |||||||||||||
![]() | CPZ19-1N5255B-CM200 | - | ![]() | 8764 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | - | 到达不受影响 | 1514-CPZ19-1N5255B-CM200 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 21 V | 28 V | 44欧姆 | ||||||||||||||
![]() | CPZ28X-C5255B-CM200 | - | ![]() | 1805年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CPZ28X-C5255B-CM200 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1 V @ 100 ma | |||||||||||||||||
![]() | CEN1151 TR13 | - | ![]() | 4106 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CEN1151TR13TR | 过时的 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M322 BK | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 3-tdfn暴露垫 | 肖特基 | TLM322 | 下载 | 1514-CTLSH1-40M322BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 15 ns | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz |
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