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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N978B TR PBFRE | 0.0734 | ![]() | 5261 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 v | 125欧姆 | |||||||||||||
![]() | CBR1-010 | - | ![]() | 5602 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-010 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 1.5 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||
![]() | CBR1-040 | - | ![]() | 1663年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-040 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||
![]() | CBR1-100 | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | 不适用 | CBR1-100 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | CBR1-L020M | - | ![]() | 5167 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | CBR1-L020 | 标准 | BM | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | CBR1-L020M PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 1.5 a | 单相 | 200 v | |||||||||||
![]() | CBR1-L040M | 0.5408 | ![]() | 4140 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | CBR1-L040 | 标准 | BM | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | CBR1-L040M PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | |||||||||||
![]() | CBR1-L100M | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | CBR1-L100 | 标准 | BM | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | CBR1-L100M PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | CDH333 bk | - | ![]() | 6640 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | CDH333 | 标准 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 1.15 V @ 300 mA | 3 µs | 3 na @ 125 V | -65°C 〜200°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | CR1F-100 bk | 0.0718 | ![]() | 2329 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | CR1F-100 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.2 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | 1N4460 bk pbfree | 0.3510 | ![]() | 7535 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 20 µA @ 3.72 V | 6.2 v | 4欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4461 TR PBFRE | 0.3465 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4462 TR PBFRE | 0.3465 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 2.5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4463 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 500 NA @ 4.92 V | 8.2 v | 3欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4465 bk pbfree | 0.8250 | ![]() | 2194 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 500 na @ 8 V | 10 v | 5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4465 TR PBFRE | 0.3465 | ![]() | 8538 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 8 V | 10 v | 5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4467 bk pbfree | 0.8250 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 200 na @ 9.6 V | 12 v | 7欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4467 TR PBFRE | 0.3465 | ![]() | 5312 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 9.6 V | 12 v | 7欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4468 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 100 na @ 10.4 V | 13 V | 8欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4473 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 4115 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 50 NA @ 17.6 V | 22 v | 14欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4475 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 8800 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 50 NA @ 21.6 V | 27 V | 18欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4478 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 9569 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 50 NA @ 28.8 V | 36 V | 27欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4614 tr pbfree | 0.2190 | ![]() | 2550 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4617 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 4656 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 2 µA @ 1 V | 2.4 v | 1400欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4617 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 6426 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 2 µA @ 1 V | 2.4 v | 1400欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4618 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 6770 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | 1500欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4622 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 6296 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650年 | |||||||||||||
![]() | 1N4623 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 3447 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4625 bk pbfree | 0.4320 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4626 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 3374 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4627 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 4842 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200欧姆 |
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