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二极管（（14739）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TS8P02GHC2G | - |  | 8393 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-6P | TS8P02 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 100 V | 8 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
| TS8P03G C2G | - | | 1558年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
| TS8P03G D2G | - | | 6294 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
| TS8P03GHC2G | - | | 3230 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
| TS8P03GHD2G | - | | 8175 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-6P | TS8P03 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
| TS8P04GH | - | | 7919 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-6P | TS8P04 | 标准 | TS-6P | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
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 | TSS4B02GHC2G | - | | 8078 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-4B | TSS4B02 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mv @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 4 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
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| TSS4B03GHD2G | - | | 8319 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-4B | TSS4B03 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mv @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
| TSS4B04G C2G | - | | 5157 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，TS-4B | TSS4B04 | 标准 | TS4B | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.3 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
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| BZY55B4V3 RYG | - | | 5316 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 0805（2012年） | BZY55 | 500兆 | 0805 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 80欧姆 | ||||||||||
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| 1SMB5942HR5G | - | | 7088 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | ±5％ | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 1SMB5942 | 3 W | DO-214AA（SMB） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 38.8 V | 51 v | 70欧姆 |
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