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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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GBPC4006M T0G | - | ![]() | 6114 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方米,GBPC40-m | GBPC4006 | 标准 | GBPC40-m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 600 V | 40 a | 单相 | 600 v | |||||||
GBPC5010M T0G | - | ![]() | 2559 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方米,GBPC40-m | GBPC5010 | 标准 | GBPC40-m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 1000 V | 50 a | 单相 | 1 kV | |||||||
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![]() | 2M43ZHB0G | - | ![]() | 2213 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2M43 | 2 w | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 32.7 V | 43 V | 35欧姆 | |||||||
![]() | GBU2506 | 2.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU2506 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | ||||||
1pgsma4762h | 0.1156 | ![]() | 6612 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1PGSMA4762 | 1.25 w | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 v | 200欧姆 | |||||||
![]() | KBP101G C2G | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 50 V | 1 a | 单相 | 50 V | |||||||
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![]() | KBP104G C2G | - | ![]() | 6646 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 1 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | KBP151G C2 | - | ![]() | 6948 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 50 V | 1.5 a | 单相 | 50 V | |||||||
![]() | KBP154G C2 | - | ![]() | 8818 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 400 V | 1.5 a | 单相 | 400 v | |||||||
![]() | KBP155G C2 | - | ![]() | 8070 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 单相 | 600 v | |||||||
![]() | KBP155G C2G | - | ![]() | 1407 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 单相 | 600 v | |||||||
![]() | KBP157G C2 | - | ![]() | 3670 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | |||||||
![]() | KBP157G C2G | - | ![]() | 7443 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | |||||||
![]() | KBP203G C2 | - | ![]() | 9531 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 V @ 2 A | 10 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | |||||||
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![]() | KBP207G C2G | - | ![]() | 9220 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 V @ 2 A | 10 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | |||||||
![]() | KBP302G C2 | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA @ 100 V | 3 a | 单相 | 100 v | |||||||
![]() | KBP306G C2G | - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | |||||||
![]() | KBP307G C2G | - | ![]() | 2183 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 3 a | 单相 | 1 kV | |||||||
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![]() | TS10K60-A | 1.8400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS4K | TS10K60 | 标准 | TS4K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||||||
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![]() | KBPF207G B0G | - | ![]() | 8939 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBPF | 标准 | KBPF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBPF207GB0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | ||||||
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![]() | KBPF306G B0G | - | ![]() | 2956 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBPF | 标准 | KBPF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBPF306GB0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | ||||||
![]() | KBPF307G B0G | - | ![]() | 8748 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBPF | 标准 | KBPF | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | KBPF307GB0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 1000 V | 3 a | 单相 | 1 kV |
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