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二极管（（421）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电阻 @ if，f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CMZ16（TE12L，Q，M） | 0.5400 |  | 4384 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-128 | CMZ16 | 2 w | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 11 V | 16 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| CRZ39 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 7342 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ39 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 31.2 V | 39 v | 35欧姆 | ||||||||||||||||||
| Cry91（TE85L，Q，M） | - | | 2201 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | ±10％ | -40°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | Cry91 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 5.5 V | 9.1 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||
![1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage](https://datasheet.sic-components.com/SOD-323%2CSC-76.jpg "1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage") | 1SS315 [U/D] | - | | 3369 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | SC-76，SOD-323 | 南加州大学 | 下载 | （1 （无限） | 264-1SS315 [u/d] tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 30 ma | 0.06pf @ 200mv，1MHz | 肖特基 -单身 | 5V | - | |||||||||||||||||||||
 | TRS12A65F，S1Q | 5.4900 | | 28 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | TRS12A65 | SIC （碳化硅） | TO-220F-2L | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.6 V @ 12 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 12a | 44pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||||
 | TRS8E65H，S1Q | 2.7600 | | 395 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 264-TRS8E65H，S1Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.35 V @ 8 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°C | 8a | 520pf @ 1V，1MHz | ||||||||||||||||
| CRZ27（TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ27 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 19 V | 27 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | 1SV323，H3F | 0.3800 | | 19 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV323 | ESC键 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 7.1pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 4.3 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
| 1SV239TPH3F | 0.4300 | | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV239 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2pf @ 10V，1MHz | 单身的 | 15 v | 2.4 | C2/C10 | - | ||||||||||||||||||
 | JDV2S10FS（TPL3） | 0.4100 | | 398 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | JDV2S10 | FSC | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 3.4pf @ 2.5V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2.55 | C0.5/C2.5 | - | ||||||||||||||||||
 | TRS10E65C，S1Q | - | | 8191 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS10E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c （最大） | 10a | - | ||||||||||||||||
 | JDH3D01STE85LF | - | | 3604 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | SC-75，SOT-416 | JDH3D01 | SSM | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 25 ma | 0.6pf @ 0.2V，1MHz | 肖特基 | 4V | - | ||||||||||||||||||||
| CRZ18 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ18 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 13 V | 18 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
| JDP2S02AF（TPL3） | 0.4700 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 2-SMD，平坦的铅 | JDP2S02 | FSC | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 50 mA | 0.4pf @ 1V，1MHz | PIN-单 | 30V | 1.5OHM @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||||||||
| 1SV324TPH3F | 0.4200 | | 972 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | 1SV324 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 12pf @ 4V，1MHz | 单身的 | 10 v | 4.3 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
| CMH04（TE12L，Q，M） | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | CMH04 | 标准 | M-Flat（2.4x3.8） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 980 mv @ 1 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
| JDH2S01FSTPL3 | - | | 7312 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 125°C（TJ） | 2-SMD，平坦的铅 | JDH2S01 | FSC | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 25 ma | 0.6pf @ 0.2V，1MHz | 肖特基 -单身 | 4V | - | ||||||||||||||||||||
| JDV2S07FSTPL3 | 0.0718 | | 6225 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 2-SMD，平坦的铅 | JDV2S07 | FSC | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 4.9pf @ 1V，1MHz | 标准 -单个 | 10V | - | |||||||||||||||||||||
| JDV2S09FSTPL3 | 0.0766 | | 7473 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | JDV2S09 | FSC | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 11.1pf @ 1V，1MHz | 单身的 | 10 v | 2.1 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||
 | CuHS15S40，H3F | 0.4800 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，平坦的铅 | CUHS15 | 肖特基 | US2H | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 510 MV @ 1.5 A | 200 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 1.5a | 170pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | CCS15S30，L3QUF | - | | 1834年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | CCS15S30 | 肖特基 | CST2C | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 20 v | 400 mV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 1.5a | 200pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CUS10F40，H3F | 0.3300 | | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS10F40 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 670 mv @ 1 a | 20 µA @ 40 V | 150°C （最大） | 1a | 74pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
 | TRS12E65C，S1Q | - | | 6681 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS12E65 | SIC （碳化硅） | TO-220-2L | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 90 µA @ 170 V | 175°c （最大） | 12a | 65pf @ 650V，1MHz | ||||||||||||||||
| CLS02（T6L，CLAR，Q），Q） | - | | 2894 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | l-flat™ | CLS02 | 肖特基 | l-flat™（4x5.5） | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 40 V | 550 mv @ 10 a | 1 mA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | 420pf @ 10V，1MHz | ||||||||||||||||||
| 1SV282TPH3F | 0.0886 | | 1657年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 125°C（TJ） | 表面安装 | SC-79，SOD-523 | 1SV282 | ESC键 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 3pf @ 25V，1MHz | 单身的 | 34 v | 12.5 | C2/C25 | - | ||||||||||||||||||
| CRZ24 （TE85L，Q，M） | 0.1740 | | 1286 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ24 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 17 V | 24 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | CUS520，H3F | 0.2000 | | 707 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-76，SOD-323 | CUS520 | 肖特基 | 南加州大学 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 30 V | 280 mv @ 10 mA | 5 µA @ 30 V | 125°c （最大） | 200mA | 17pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| CRZ13 （TE85L，Q，M） | 0.4900 | | 3970 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | SOD-123F | CRZ13 | 700兆 | S-Flat（1.6x3.5） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 9 V | 13 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||
 | 1SS301，LF | 0.2100 | | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SC-70，SOT-323 | 1SS301 | 标准 | SC-70 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c （最大） | ||||||||||||||||
| JDH2S02FSTPL3 | 0.4600 | | 15 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 125°C（TJ） | 2-SMD，平坦的铅 | JDH2S02 | FSC | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 10 MA | 0.3pf @ 0.2V，1MHz | 肖特基 -单身 | 10V | - |
2000+
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