RFQ
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二极管（（1290）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZX79C6V2-T50A	0.0200	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C6		500兆	do-35	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.5 V @ 100 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
MM3Z16VB	0.0200	RFQ	2220	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 10 mA		45 NA @ 11.2 V				16 V	37欧姆
FFH30US30DN	-	RFQ	5936	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		标准		TO-247	下载					Ear99	8541.10.0080	90	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	30a	1 V @ 30 A	55 ns	100 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
FS8J	-	RFQ	4428	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn		标准		TO-277-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FS8J-600039			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.1 V @ 8 A	3.37 µs	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	118pf @ 0v，1MHz
1N4753A	0.0300	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779							5 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
1N5234C	0.0300	RFQ	192	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	7欧姆
flz3v6a	1.0000	RFQ	9916	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		2.8 µA @ 1 V				3.6 v	48欧姆
FDLL4448_D87Z	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载					Ear99	8542.39.0001	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N5247B	0.0300	RFQ	187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539					900 mv @ 200 ma		100 na @ 13 V				17 V	19欧姆
1N6003B	1.8400	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 9.9 V				13 V	25欧姆
MM5Z24V	0.0200	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000							50 NA @ 16.8 V				24 V	70欧姆
FLZ27VD	0.0200	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500					1.2 V @ 200 ma		133 na @ 21 V				27 V	38欧姆
BZX79C3V3-T50A	0.0200	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX79C3V3-T50A-600039			1					1.5 V @ 100 ma		25 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
FDH3595	-	RFQ	3915	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v		1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	8pf @ 0v，1MHz
ISL9R460PF2	-	RFQ	8157	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.4 V @ 4 A	22 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	4a	-
RHRD660S9A-S2515P	1.0000	RFQ	6099	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RHRD660S9A-S2515P-600039			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2.1 V @ 6 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
1N5230BTR	0.0200	RFQ	73	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				4.7 v	19欧姆
1N5249B	1.8400	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				19 v	23欧姆
MMBZ5230B	0.0200	RFQ	84	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V				4.7 v	19欧姆
ES3C	-	RFQ	9992	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC		标准		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		900 mv @ 3 a	20 ns	5 µA @ 150 V	-50°C〜150°C	3a	-
1N4755A-T50A	0.0500	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4755		1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	6,354							5 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
SB520	-	RFQ	1587年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		550 mv @ 5 a		500 µA @ 20 V	-50°C〜150°C	5a	-
BZX85C5V6-T50R	0.0400	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-		供应商不确定	到达受影响	2156-BZX85C5V6-T50R-600039			1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 2 V				5.6 v	7欧姆
1N973B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163							5 µA @ 25.1 V				33 V	58欧姆
1N4938TR	0.0200	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	15,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 na @ 75 V	175°c （最大）	500mA	5pf @ 0v，1MHz
FFSH2065A	-	RFQ	9891	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		SIC （碳化硅）		TO-247-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FFSH2065A-600039			1	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	25a	1085pf @ 1V，100kHz
1N4740A	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
BZX85C18-T50A	-	RFQ	2203	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX85C18-T50A-600039			1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V				17.95 v	20欧姆
BZX85C36	1.0000	RFQ	5132	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		500 na @ 25 V				36 V	1000欧姆
SB320	0.1500	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	SB32	肖特基		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,049	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		490 mv @ 3 a		500 µA @ 20 V	-50°C〜150°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（1290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²