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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | BZV55-B27,115 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-B27,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | |||||||||||
![]() | BZX84-C68,215 | 0.0200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C68,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 V | 68 v | 240欧姆 | |||||||||||
![]() | NZX16C,133 | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-NZX16C,133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 NA @ 11.2 V | 16 V | 45欧姆 | |||||||||||
![]() | BZV55-B5V1,115 | 0.0200 | ![]() | 115 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-B5V1,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | |||||||||||
![]() | BZX79-B10,133 | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-B10,133-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | |||||||||||
![]() | BZV55-B4V7,115 | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZX884-B5V1,315 | 0.0300 | ![]() | 81 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX884-B5V1,315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | |||||||||
![]() | BZV55-B3V9,115 | 0.0200 | ![]() | 81 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-B3V9,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4737A,133 | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4737 | 1 w | do-41 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | |||||||||||
![]() | NZX20B,133 | - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | NZX20 | 500兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 na @ 14 V | 20 v | 60欧姆 | |||||||||||
![]() | BZX84J-C47,115 | - | ![]() | 9645 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 550兆 | SOD-323F | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 32.9 V | 47 V | 90欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZX84-C15/CH,235 | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C2V7,215 | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZB84-C2V7 | 300兆 | TO-236AB | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | |||||||||||
![]() | BZX79-C36143 | 0.0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C10,115 | 0.1700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,745 | 1 V @ 50 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | BZT52H-C22,115 | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZT52H-C22,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 25欧姆 | ||||||||||
![]() | BZT52H-C68,115 | 0.0200 | ![]() | 181 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZT52H-C68,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 V | 68 v | 160欧姆 | ||||||||||
![]() | BZX79-C3V3,133 | 0.0200 | ![]() | 170 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C3V3,133-954 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | ||||||||||
![]() | BZV55-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 287 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C6V8,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15欧姆 | |||||||||||
![]() | BAS35,215 | 0.0400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS35,215-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDZ3.6B,115 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 400兆 | SOD-323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDZ3.6B,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | |||||||||
![]() | BAP70-02/AX | 0.2300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-BAP70-02/AX-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C18,235 | 0.0200 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C18,235-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 12.6 V | 18 V | 45欧姆 | |||||||||||
![]() | BZV85-C75,113 | 0.0300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.3 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C75,113-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 NA @ 53 V | 75 v | 225欧姆 | |||||||||
![]() | BZB984-C3V3,115 | 0.0400 | ![]() | 5822 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SOT-663 | 265兆 | SOT-663 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 85欧姆 | ||||||||
![]() | BZX585-B3V0,115 | - | ![]() | 1500 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||
![]() | PZU20B2,115 | 0.0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PZU20B2,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 na @ 15 V | 20 v | 20欧姆 | |||||||||
![]() | BZX84-A20,215 | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-A20,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 14 V | 20 v | 55欧姆 | |||||||||
![]() | TDZ8V2J,115 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,TDZXJ | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | TDZ8V2 | 500兆 | SOD-323F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-TDZ8V2J,115-954 | 10,414 | 1.1 V @ 100 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 v | 10欧姆 | ||||||||||
![]() | PMEG4005EGWJ | - | ![]() | 1938年 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG4005EGWJ-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 470 mv @ 500 mA | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 500mA | 43pf @ 1V,1MHz |
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