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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB160S-407HWT2R | - | ![]() | 9708 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0603((1608)) | RB160 | 肖特基 | KMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB160SS-407HWT2RTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 MV @ 700 mA | 50 µA @ 40 V | 150°C | 1a | - | |||||||||
![]() | RB551VM-40TE-17 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB551 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 430 mv @ 200 ma | 300 µA @ 40 V | 125°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | GDZT8EPT2R14 | - | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-GDZT8EPT2R14TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT2R6.8B | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Rohm半导体 | GDZ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 0201(0603公制) | GDZT2R | 100兆 | GMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-GDZT2R6.8BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 NA @ 3.5 V | 6.8 v | ||||||||||||
![]() | rup1301umtl | - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | RUP1301 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RUP1301UMTLTR | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RB520HS-30T15R | 0.3800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB520 | 肖特基 | DSN0603-2,SOD-962,SMD0603 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 430 mv @ 10 ma | 300 na @ 10 V | 150°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | RUP1301ZST2R | - | ![]() | 6283 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RUP1301ZST2RTR | 过时的 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ8EPT2R5.6 | - | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-GDZ8EPT2R5.6Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RB520ZS-308EPT2R | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB520 | 肖特基 | GMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB520ZS-308EPT2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 460 mv @ 10 mA | 300 na @ 10 V | 150°C | 100mA | - | |||||||||
![]() | RB521ZS-30T2R_1 | - | ![]() | 5057 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB521 | 肖特基 | GMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB521ZS-30T2R_1TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 370 mv @ 10 mA | 7 µA @ 10 V | 150°C | 100mA | - | |||||||||
![]() | gdz8ept2r6.2b | - | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-GDZ8EPT2R6.2BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT2R6.2B | - | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Rohm半导体 | GDZ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5.4% | 150°C(TJ) | 表面安装 | 0201(0603公制) | GDZT2R | 100兆 | GMD2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-GDZT2R6.2BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | ||||||||||||
![]() | RB160SS-30T2R | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0603((1608)) | RB160 | 肖特基 | KMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB160SS-30T2RTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 520 mv @ 1 A | 35 µA @ 30 V | 150°C | 1a | - | |||||||||
![]() | RB085T-90NZC9 | 1.3300 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB085 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 10a | 830 mv @ 5 a | 150 µA @ 90 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BZX84C5V6LT116 | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±7.14% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | ||||||||||||
![]() | RFV8BM6STL | 1.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RFV8BM6 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 8 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||||
![]() | RB215T-40NZC9 | 1.8700 | ![]() | 974 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB215 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB215T-40NZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 20a | 550 mv @ 10 a | 500 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | RFN5TF8SC9 | 1.5600 | ![]() | 521 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFN5T | 标准 | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RFN5TF8SC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 2.1 V @ 5 A | 40 ns | 10 µA @ 800 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||
![]() | RBR10T30ANZC9 | 0.9400 | ![]() | 910 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RBR10 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR10T30ANZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 550 mv @ 5 a | 100 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||
![]() | UFZVTE-1715B | 0.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.63% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | ||||||||||||
![]() | RB706D-40FHT146 | 0.5900 | ![]() | 905 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RB706 | 肖特基 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | ||||||||||
![]() | BAS16HMT116 | 0.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | 215ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | RB168VAM-60TR | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RB168 | 肖特基 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 820 mv @ 1 A | 1 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | BAS40-06HMT116 | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BZX84B5V1LT116 | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±1.96% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||
![]() | kdzlvtr100 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZLV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr100 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 76 V | 100 v | |||||||||||||
![]() | RF1601NS2DTL | 1.7400 | ![]() | 987 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RF1601 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 930 MV @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | BZX84C3V6LT116 | 0.2300 | ![]() | 595 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5.56% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | ||||||||||||
![]() | BZX84C2V7LT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±7.41% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | ||||||||||||
![]() | kdzlvtr82 | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZLV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.1% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr82 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 76 V | 82 v |
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