SIC
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二极管（（3328）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
BZX84C9V1LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C9V1LYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6.04％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 V 9.1 v 15欧姆
BZX84B10VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
RBR1VWM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR1VWM40ATFTR 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RBR1VWM 肖特基 PMDE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 520 mv @ 1 A 50 µA @ 40 V 150°C 1a -
BAS40-04HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-04HYT116 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 40 V 120mA（DC） 1 V @ 40 mA 10 µA @ 40 V 150°C
BZX84C20VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLYT116 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 V 20 v 55欧姆
BZX84C16VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C16VLYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.63％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 11 V 16 V 40欧姆
BZX84B6V2LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1.94％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µA @ 4 V 6.2 v 10欧姆
BAS16HYT116 Rohm Semiconductor BAS16HYT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAS16 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 80 V 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C 215ma 2pf @ 0v，1MHz
RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor RB085BGE-90TL 0.8625
RFQ
 ECAD 5775 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB085 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 90 v 5a 830 mv @ 5 a 150 µA @ 90 V 150°C
RF305BGE6STL Rohm Semiconductor RF305BGE6STL 1.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RF305 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 3 A 30 ns 10 µA @ 600 V 150°C 3a -
RB098BGE-60TL Rohm Semiconductor RB098BGE-60TL 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB095 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 6a 830 mv @ 3 a 1.5 µA @ 60 V 150°C
RB088BGE100TL Rohm Semiconductor RB088BGE100TL 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB088 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 5a 870 mv @ 5 a 5 µA @ 100 V 150°C
RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor RFN10BGE6STL 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RFN10 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.55 V @ 10 A 50 ns 10 µA @ 600 V 150°C 10a -
RB098BGE150TL Rohm Semiconductor RB098BGE150TL 1.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB095 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 3a 830 mv @ 3 a 7 µA @ 150 V 150°C
SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240AE2GC11 13.1600
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS240 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS240AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 20A（DC） 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°C
RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor RF601BGE2DTL 1.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RF601 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 3a 930 MV @ 3 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C
SCS240KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2GC11 23.3200
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS240 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS240KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 20A（DC） 1.6 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 1200 V 175°C
SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor SCS215AEGC11 7.5200
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS215 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS215AEGC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 15 A 0 ns 300 µA @ 600 V 175°C 15a 550pf @ 1V，1MHz
SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2GC11 10.1000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS210 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS210KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 5A（DA）（DC） 1.6 V @ 5 A 0 ns 100 µA @ 1200 V 175°C
RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor RFN6BGE2DTL 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RFN6 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFN6BGE2DTLTR Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 3a 980 mv @ 3 a 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor RR601BGE4STL 0.7065
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 400 V 150°C 6a -
SCS205KGC17 Rohm Semiconductor SCS205kGC17 5.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS205KGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 5 A 0 ns 100 µA @ 1200 V 175°C 5a 270pf @ 1V，1MHz
SCS215AGC17 Rohm Semiconductor SCS215AGC17 6.1300
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS215AGC17 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 15 A 0 ns 300 µA @ 600 V 175°C 15a 550pf @ 1V，1MHz
SCS210KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2HRC11 10.3100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS210 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS210KE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 5A（DA）（DC） 1.6 V @ 5 A 0 ns 100 µA @ 1200 V 175°C
RFN10NS8DFHTL Rohm Semiconductor RFN10NS8DFHTL 3.1600
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RFN10 标准 LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 2.1 V @ 5 A 40 ns 10 µA @ 800 V 150°C 10a -
RFUH20TB3SNZC9 Rohm Semiconductor RFUH20TB3SNZC9 2.2300
RFQ
 ECAD 947 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 RFUH20 标准 TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFUH20TB3SNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 350 v 1.5 V @ 20 A 25 ns 10 NA @ 350 V 150°C 20a -
RFN20NS3STL Rohm Semiconductor RFN20NS3STL 2.9900
RFQ
 ECAD 868 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RFN20 标准 LPD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 350 v 1.35 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 350 V 150°C 20a -
RFN20TF6SC9 Rohm Semiconductor RFN20TF6SC9 2.7500
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 RFN20 标准 TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFN20TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.55 V @ 20 A 60 ns 10 µA @ 600 V 150°C 20a -
RB530CM-40T2R Rohm Semiconductor RB530CM-40T2R 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-923 RB530 肖特基 VMN2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 40 V 480 mv @ 10 mA 2 µA @ 40 V 150°C 100mA -
RF302LAM2STR Rohm Semiconductor RF302LAM2STR 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 RF302 标准 PMDTM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 mv @ 3 a 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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