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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MTZJT-7216C | - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT7216C | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 12 V | 16 V | 25欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-7218B | - | ![]() | 1933年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7218b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 30欧姆 | ||||||||||||
mtzjt-7220b | - | ![]() | 9632 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7220b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 20 v | ||||||||||||||
mtzjt-723.3b | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt723.3b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3.3 v | ||||||||||||||
mtzjt-7236b | - | ![]() | 2228 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7236b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 27 V | 36 V | 75欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-724.3C | - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT724.3C | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 100欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-724.7B | - | ![]() | 1708年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT724.7B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 80欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-725.1A | - | ![]() | 6815 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt725.1a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1.5 V | 5.1 v | 70欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-725.1C | - | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt725.1c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1.5 V | 5.1 v | 70欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-727.5A | - | ![]() | 7077 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT727.5A | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 20欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-727.5B | - | ![]() | 4763 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT727.5B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 20欧姆 | ||||||||||||
mtzjt-729.1b | - | ![]() | 9670 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt729.1b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 20欧姆 | ||||||||||||
MTZJT-772.0B | - | ![]() | 1313 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT772.0B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 v | |||||||||||||||
MTZJT-772.4B | - | ![]() | 7634 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT772.4B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.4 v | |||||||||||||||
RB441Q-40T-72 | - | ![]() | 2884 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | RB441 | 肖特基 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | RB441Q40T72 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 550 mv @ 100 ma | 100 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 100mA | 6pf @ 10V,1MHz | ||||||||||
![]() | RB021VAM90TR | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RB021 | 肖特基 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 490 mv @ 200 ma | 900 µA @ 90 V | 125°c (最大) | 200mA | - | ||||||||||
![]() | RSX051VAM30TR | 0.3300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RSX051 | 肖特基 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 390 mv @ 500 mA | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 500mA | - | ||||||||||
![]() | RF2001NS2DTL | 2.2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RF2001 | 标准 | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 930 MV @ 10 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | RFN20TJ6SGC9 | 1.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFN20 | 标准 | TO-220ACFP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 20 A | 140 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | |||||||||
![]() | SCS210AJHRTLL | 7.1800 | ![]() | 3963 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SCS210 | SIC (碳化硅) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 10a | 365pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | scs220ajhrtll | 10.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SCS220 | SIC (碳化硅) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 20a | 730pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | PDZVTR10B | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.66% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR10 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 7 V | 10.6 v | 6欧姆 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR12B | 0.4100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR12 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 9 V | 12.75 v | 8欧姆 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR13A | 0.1275 | ![]() | 1001 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.42% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR13 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 10 V | 13.25 v | 10欧姆 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR16B | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.09% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR16 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 12 V | 17.25 v | 12欧姆 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR24B | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.98% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR24 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 19 V | 25.8 v | 16欧姆 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR36B | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.26% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR36 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 27 V | 38 v | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | pdzvtr4.3b | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.49% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr4.3 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 4.55 v | 15欧姆 | ||||||||||||
![]() | pdzvtr5.6b | 0.4500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR5.6 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1.5 V | 5.95 v | 8欧姆 | ||||||||||||
![]() | RB050LAM-60TR | 0.4800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB050 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 560 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 3a | - |
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