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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB168LAM-30TR | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB168 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 690 mv @ 1 a | 600 NA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | RB168LAM-60TR | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB168 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 680 mv @ 1 a | 1.5 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | RBR1LAM60ATR | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-128 | RBR1LAM60 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 530 MV @ 1 A | 75 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | RBR2LAM60BTR | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBR2LAM60 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 520 mv @ 2 a | 150 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 2a | - | ||||||||||
![]() | RBR3LAM30ATR | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-128 | RBR3LAM30 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 580 mv @ 3 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | RBR3LAM30BTR | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBR3LAM30 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 530 mv @ 3 a | 80 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | RBR3LAM40BTR | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBR3LAM40 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 620 mv @ 3 a | 80 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | RF101LAM2STR | 0.4800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RF101 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 870 mv @ 1 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||
![]() | RFN1LAM6STR | 0.4300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RFN1LAM6 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.45 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 800mA | - | |||||||||
![]() | RB051LAM-40TR | 0.4800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB051 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 mv @ 3 a | 1 ma @ 20 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | RB055LAM-60TFTR | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB055 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 680 mv @ 3 a | 70 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | RB068LAM-60TFTR | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB068 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 680 mv @ 2 a | 2 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 2a | - | ||||||||||
![]() | RB160LAM-90TR | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB160 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 730 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | RR2LAM6STFTR | 0.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-128 | RR2LAM6 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 2a | - | ||||||||||
![]() | RSX205LAM30TR | 0.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RSX205 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 490 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | - | ||||||||||
![]() | RFN10B3STL | - | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN10 | 标准 | CPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 350 v | 1.5 V @ 10 A | 30 ns | 10 µA @ 350 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||
![]() | RFUH10NS6STL | 1.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFUH10 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||
![]() | RFUH20NS6STL | 1.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFUH20 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | |||||||||
![]() | SCS240AE2C | - | ![]() | 4387 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS240 | SIC (碳化硅) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 20A(DC) | 1.55 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 600 V | 175°c (最大) | |||||||||
![]() | SCS220kgc | - | ![]() | 8611 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS220 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 20a | 1060pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | SCS230KE2C | - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS230 | SIC (碳化硅) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 15A(DC) | 1.6 V @ 15 A | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | |||||||||
![]() | SCS208AJTLL | 4.4500 | ![]() | 227 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SCS208 | SIC (碳化硅) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 8 A | 0 ns | 160 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 8a | 291pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | SCS206AJTLL | 3.7000 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SCS206 | SIC (碳化硅) | TO-263AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 6 A | 0 ns | 120 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 6a | 219pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | SCS215kgc | - | ![]() | 4504 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS215 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 15 A | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 15a | 790pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | RBQ10B65ATL | - | ![]() | 4213 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ10 | 肖特基 | CPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 5a | 690 mv @ 5 a | 150 µA @ 65 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | RFN20NS6STL | 2.0600 | ![]() | 302 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFN20 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 20 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | |||||||||
![]() | RFN5B6STL | - | ![]() | 5243 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN5B | 标准 | CPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||
![]() | RLZTE-113.0B | - | ![]() | 7829 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | rlzte113.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1SR159-200TE25 | 0.1576 | ![]() | 1427 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1SR159 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SR159200TE25 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 980 mv @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||
![]() | TFZGTR12B | 0.4800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR12 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 9 V | 12 v | 12欧姆 |
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