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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB480YGJT2R | - | ![]() | 8679 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75-4,SOT-543 | 肖特基 | EMD4 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB480YGJT2RTR | 过时的 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 30 V | 100mA | 530 mv @ 100 ma | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | |||||||||||
![]() | RB480YFJT2R | - | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75-4,SOT-543 | 肖特基 | EMD4 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB480YFJT2RTR | 过时的 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 30 V | 100mA | 530 mv @ 100 ma | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | |||||||||||
![]() | pdzvtr2.0b | 0.4000 | ![]() | 277 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr2.0 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 500 mV | 2 v | 25欧姆 | ||||||||||||
![]() | RFNL10BM6SFHTL | 1.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFNL10 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 10 A | 180 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 10a | - | |||||||||
![]() | KDZLVTR120 | 0.4500 | ![]() | 276 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZLVTR120 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 91 V | 120 v | 620欧姆 | ||||||||||||
![]() | RBQ15BGE65ATL | 1.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ15 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 15a | 630 MV @ 7.5 A | 140 µA @ 65 V | 150°C | ||||||||||
![]() | KDZLVTR110 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.45% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZLVTR110 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 84 V | 110 v | 530欧姆 | ||||||||||||
![]() | kdzlvtr91 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.04% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr91 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 69 V | 91 v | 340欧姆 | ||||||||||||
![]() | kdzlvtr62 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZLV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.45% | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr62 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 47 V | 62 v | 220欧姆 | ||||||||||||
![]() | RBR20BGE30ATL | 2.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR20 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR20BGE30ATLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 20a | 510 MV @ 10 A | 300 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||
![]() | RBR10BGE30ATL | 1.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR10 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 100 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR15BGE30ATL | 1.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR15 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 510 MV @ 7.5 A | 200 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR10BGE60ATL | 1.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR10 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR15BGE60ATL | 1.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR15 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 580 mv @ 7.5 a | 400 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
1SS244T-77 | - | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 1S244 | 标准 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 220 v | 1.5 V @ 200 ma | 75 ns | 10 µA @ 220 V | 175°c (最大) | 200mA | 3pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
![]() | DAP202UT106 | - | ![]() | 4751 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DAP202 | 标准 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 NA @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | RB425DT146 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RB425 | 肖特基 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 100mA | 550 mv @ 100 ma | 30 µA @ 10 V | 125°c (最大) | ||||||||||
![]() | rr1vwm4stftr | 0.3800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RR1VWM4 | 标准 | PMDE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 175°c (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | EDZ9HUTE6122B | - | ![]() | 5707 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | Edz9hut | 100兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-EDZ9HUTE6122BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | RSX201VYM30FHTR | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RSX201 | 肖特基 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 460 mv @ 1.5 A | 300 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | RFN10TF6S | 0.8460 | ![]() | 7403 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2 | RFN10 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||
![]() | RBR2MM40CTR | 0.5300 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBR2MM40 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 540 mv @ 2 a | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 2a | - | ||||||||||
![]() | RB088NS-30FHTL | 1.4200 | ![]() | 845 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB088 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 720 MV @ 5 A | 3 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | RB521S-30LDTE61 | - | ![]() | 3474 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB521 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB521S-30LDTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | RFN2L4SDDTE25 | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RFN2L4 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1.5 A | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150°C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | UMP11NFHTN | 0.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMP11 | 标准 | UMD6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 NA @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | PTZTE2520B | 0.2014 | ![]() | 5725 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | - | 表面安装 | do-214ac,SMA | PTZTE2520 | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 15 V | 20.8 v | 14欧姆 | ||||||||||||
![]() | RF2001T2DNZC9 | 2.0500 | ![]() | 309 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF2001 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RF2001T2DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 930 MV @ 10 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | ||||||||
![]() | RB521ASA-30FHT2RB | 0.3600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 肖特基 | DFN1006-2W | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 470 mv @ 200 ma | 30 µA @ 10 V | 125°C | 200mA | - | |||||||||||||
![]() | TDZTR6.2 | 0.1088 | ![]() | 1397 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TDZTR6.2 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 3 V | 6.2 v |
每日平均RFQ量
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