SIC
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二极管（（3328）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
RF505BGE6STL Rohm Semiconductor RF505BGE6STL 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RF505 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.7 V @ 5 A 30 ns 10 µA @ 600 V 150°C 5a -
RF501BGE2STL Rohm Semiconductor RF501BGE2STL 1.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RF501 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 920 MV @ 5 A 25 ns 1 µA @ 200 V 150°C 5a -
SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS220AE2GC11 9.2100
RFQ
 ECAD 9656 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS220 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 10A（DC） 1.55 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 600 V 175°C
RB098BGE100TL Rohm Semiconductor RB098BGE100TL 1.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB095 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 3a 770 mv @ 3 a 3 µA @ 100 V 150°C
RB168MM200TFTR Rohm Semiconductor RB168MM200TFTR 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F RB168 肖特基 PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 890 mv @ 1 a 850 na @ 200 V 175°C 1a -
SCS208AGC17 Rohm Semiconductor SCS208AGC17 4.5900
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS208AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 8 A 0 ns 160 µA @ 600 V 175°C 8a 291pf @ 1V，1MHz
SCS220KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS220KE2HRC11 14.6300
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS220 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220KE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 10A（DC） 1.6 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 1200 V 175°C
SCS220KGC17 Rohm Semiconductor SCS220KGC17 13.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220KGC17 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 1200 V 175°C 20a 1050pf @ 1V，1MHz
SCS215KGC17 Rohm Semiconductor SCS215KGC17 11.5900
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS215KGC17 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 15 A 0 ns 300 µA @ 1200 V 175°C 15a 790pf @ 1V，1MHz
RB215T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-60NZC9 1.9000
RFQ
 ECAD 605 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB215 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB215T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 20a 580 mv @ 10 a 600 µA @ 60 V 150°C （最大）
RB085T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-40NZC9 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB085 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB085T-40NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 10a 550 mv @ 5 a 200 µA @ 40 V 150°C （最大）
RFV8TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFV8TJ6SGC9 0.6813
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 RFV8TJ6 标准 TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFV8TJ6SGC9 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.8 V @ 8 A 45 ns 10 µA @ 600 V 150°C （最大） 8a -
RB225T-40 Rohm Semiconductor RB225T-40 1.5141
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 通过洞 TO-220-3完整包 RB225 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 15a 630 MV @ 15 A 500 µA @ 40 V 150°C （最大）
RFVS8TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFVS8TJ6SGC9 0.6010
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 RFVS8 标准 TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFVS8TJ6SGC9 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 3 V @ 8 A 40 ns 10 µA @ 600 V 150°C （最大） 8a -
UFZVTE-1720B Rohm Semiconductor UFZVTE-1720B 0.3000
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.55％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F UFZVTE 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 15 V 20 v 28欧姆
KDZVTR2.2B Rohm Semiconductor kdzvtr2.2b 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5.68％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F kdzvtr2.2 1 w PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 700 mV 2.2 v
BAT54HMT116 Rohm Semiconductor BAT54HMT116 0.2400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAT54 肖特基 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大） 200mA 12pf @ 1V，1MHz
BZX84C20VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLT116 0.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±6％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 V 20 v 55欧姆
BAW56HMT116 Rohm Semiconductor BAW56HMT116 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAW56 标准 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 80 V 215ma（dc） 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 80 V 150°C （最大）
BZX84C8V2LT116 Rohm Semiconductor BZX84C8V2LT116 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±6.1％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 700 na @ 5 V 8.2 v 15欧姆
BZX84B5V6LT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V6LT116 0.0450
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±1.96％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
KDZVTR3.3B Rohm Semiconductor kdzvtr3.3b 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6.06％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F kdzvtr3.3 1 w PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 80 µA @ 1 V 3.3 v
KDZVTR2.0B Rohm Semiconductor kdzvtr2.0b 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 KDZV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±6％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F kdzvtr2.0 1 w PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 500 mV 2.12 v
BZX84C6V8LT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V8LT116 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±5.88％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 2 µA @ 4 V 6.8 v 15欧姆
UFZVTE-174.3B Rohm Semiconductor UFZVTE-174.3B 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±3.16％ 150°C（TJ） 表面安装 SC-90，SOD-323F UFZVTE 500兆 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 V 4.3 v 40欧姆
BZX84B36VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B36VLT116 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±1.94％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BZX84 250兆 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 25 V 36 V 90欧姆
1SS380VMTE-17 Rohm Semiconductor 1SS380VMTE-17 0.3800
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-90，SOD-323F 1SS380 标准 UMD2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 80 V 1.2 V @ 100 ma 10 na @ 80 V 150°C （最大） 100mA 5pf @ 500MV，1MHz
RBR3LAM40CTR Rohm Semiconductor RBR3LAM40CTR 0.4100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOD-128 RBR3LAM40 肖特基 PMDTM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 3 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 3a -
RB530CM-30T2R Rohm Semiconductor RB530CM-30T2R 0.2600
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB530 肖特基 VMN2M 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 460 mv @ 10 mA 300 na @ 10 V 150°C （最大） 100mA -
BAT54AHMT116 Rohm Semiconductor BAT54AHMT116 0.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAT54 肖特基 SSD3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma（dc） 800 mv @ 100 ma 50 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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