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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TFZGTR10B | 0.0886 | ![]() | 4552 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR10 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | TFZGTR24B | 0.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZGTR24 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 19 V | 24 V | 35欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | Udzvte-1720b | 0.2700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 85欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-1722B | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 17 V | 22 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | Udzvte-1727b | 0.2700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-173.0B | 0.2700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 V | ||||||||||||||||||
![]() | Udzvte-1739b | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 39 v | ||||||||||||||||||
![]() | Udzvte-179.1b | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | SCS105kGC | - | ![]() | 2508 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SCS105 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.75 V @ 5 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 5a | 325pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | SCS120AE2C | - | ![]() | 7327 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS120 | SIC (碳化硅) | TO-247 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 600 v | 10A(DC) | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175°c (最大) | |||||||||||||
![]() | EDZVT2R2.0B | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 120 µA @ 500 mV | 2 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R20B | 0.2800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 85欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R27B | 0.2800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R33B | 0.2800 | ![]() | 5642 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 25 V | 33 V | 250欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R36B | 0.2800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±3% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 300欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R4.7B | 0.2800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R5.6B | 0.2900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 200欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R9.1B | 0.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | EDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | EDZVT2 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | RB168M-60TR | 0.1020 | ![]() | 5213 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-123F | RB168 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | RB168M60TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 680 mv @ 1 a | 1.5 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||||||
![]() | RB501VM-40TE-17 | 0.3100 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB501 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 550 mv @ 100 ma | 30 µA @ 10 V | 125°c (最大) | 100mA | 6pf @ 10V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | RBE2VA20ATR | 0.1173 | ![]() | 8845 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RBE2VA20 | 肖特基 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 460 mv @ 2 a | 700 µA @ 20 V | 125°c (最大) | 2a | - | ||||||||||||||
![]() | RN152GT2R | - | ![]() | 7524 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | SOD-723 | RN152 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 100 ma | 0.45pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 30V | 4.8OHM @ 1mA,100MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1SR153-400T-31 | - | ![]() | 7086 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-41 mini,轴向 | 1SR153-400 | 标准 | MSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SR153400T31 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 800 mA | 400 ns | 10 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||
1SS133T-72 | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 1SS133 | 标准 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SS133T72 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 175°c (最大) | 130mA | 2pf @ 0.5V,1MHz | |||||||||||||
mtzjt-7211b | - | ![]() | 6724 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7211b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||
mtzjt-7212b | - | ![]() | 1346 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7212b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 9 V | 12 v | 25欧姆 | ||||||||||||||||
MTZJT-7213C | - | ![]() | 1473 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT7213C | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 10 V | 13 V | 25欧姆 | ||||||||||||||||
mtzjt-7215b | - | ![]() | 6561 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT7215B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 11 V | 15 v | 25欧姆 | ||||||||||||||||
MTZJT-722.0B | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt722.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 v | ||||||||||||||||||
MTZJT-7224C | - | ![]() | 4704 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT7224C | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 19 V | 24 V | 35欧姆 |
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