SIC
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二极管（（3328）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
BZX84B9V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B9V1LYFHT116 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1.98％ 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 V 9.1 v 15欧姆
RB098BGE-30TL Rohm Semiconductor RB098BGE-30TL 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB095 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 3a 720 mv @ 3 a 1.5 µA @ 30 V 150°C
RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor RFN3BGE2STL 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RFN3B 标准 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 3 a 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C 3a -
SCS230KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS230KE2GC11 19.7300
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS230 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS230KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 15A（DC） 1.6 V @ 15 A 0 ns 300 µA @ 1200 V 175°C
SCS220AEGC11 Rohm Semiconductor SCS220AEGC11 8.9100
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS220 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220AEGC11 Ear99 8541.10.0080 450 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°C 20a 730pf @ 1V，1MHz
RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor RB088BGE-60TL 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB088 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 5a 830 mv @ 5 a 3 µA @ 60 V 150°C
SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS230AE2GC11 12.1000
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS230 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS230AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 15A（DC） 1.55 V @ 15 A 0 ns 300 µA @ 600 V 175°C
RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor RB088BGE-40TL 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB088 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 5a 770 mv @ 5 a 3 µA @ 40 V 150°C
RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor RB088BGE-30TL 1.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB088 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 5a 720 MV @ 5 A 3 µA @ 30 V 150°C
RB075BGE40STL Rohm Semiconductor RB075BGE40STL 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB075 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 750 MV @ 5 A 5 µA @ 40 V 150°C 5a -
RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor RB098BGE-40TL 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RB095 肖特基 TO-252GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 40 V 3a 770 mv @ 3 a 1.5 µA @ 40 V 150°C
SCS240AE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240AE2HRC11 13.5700
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS240 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS240AE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 20A（DC） 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°C
SCS220AE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS220AE2HRC11 9.5000
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SCS220 SIC （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220AE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 10A（DC） 1.55 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 600 V 175°C
SCS212AGC17 Rohm Semiconductor SCS212AGC17 5.9100
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS212AGC17 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 12 A 0 ns 240 µA @ 600 V 175°C 12a 438pf @ 1V，1MHz
SCS210AGC17 Rohm Semiconductor SCS210AGC17 5.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS210AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 600 V 175°C 10a 365pf @ 1V，1MHz
SCS210KGC17 Rohm Semiconductor SCS210KGC17 8.3200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS210KGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.6 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 1200 V 175°C 10a 550pf @ 1V，1MHz
SCS220AGC17 Rohm Semiconductor SCS220AGC17 7.5200
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS220AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°C 20a 730pf @ 1V，1MHz
SCS206AGC17 Rohm Semiconductor SCS206AGC17 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220ACFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCS206AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 6 A 0 ns 120 µA @ 600 V 175°C 6a 219pf @ 1V，1MHz
RFUH10TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SC9 2.5600
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 RFUH10 标准 TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFUH10TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.8 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 600 V 150°C 10a -
RBR5L40ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L40ADDTE25 0.8800
RFQ
 ECAD 791 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA RBR5L40 肖特基 PMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 530 mv @ 5 a 200 µA @ 40 V 150°C 5a -
RB205T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-60NZC9 2.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB205 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB205T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 15a 580 mv @ 7.5 a 600 µA @ 60 V 150°C
RFN20T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN20T2DNZC9 2.4300
RFQ
 ECAD 961 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RFN20 标准 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFN20T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 10 a 30 ns 10 µA @ 200 V 150°C 20a -
RBR3L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L30BDDTE25 0.6600
RFQ
 ECAD 837 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA RBR3L30 肖特基 PMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 530 mv @ 3 a 80 µA @ 30 V 150°C 3a -
RBR1L40ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR1L40ADDTE25 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-214ac，SMA RBR1L40 肖特基 PMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 520 mv @ 1 A 50 µA @ 40 V 150°C 1a -
RB168VAM-30TR Rohm Semiconductor RB168VAM-30TR 0.3600
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 RB168 肖特基 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 730 MV @ 1 A 300 NA @ 30 V 150°C 1a -
RB085T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-60NZC9 2.0200
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB085 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RB085T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 10a 580 mv @ 5 a 300 µA @ 60 V 150°C
RB532HS-30T15R Rohm Semiconductor RB532HS-30T15R 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 0201（0603公制） RB532 肖特基 DSN0603-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 500 mv @ 100 ma 100 µA @ 30 V 150°C 200mA -
RR1LAM6STFTR Rohm Semiconductor RR1LAM6STFTR 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOD-128 RR1LAM6 标准 PMDT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RR1LIM6STFTRDKR Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 150°C 1a -
RFS30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFS30TZ6SGC13 6.1700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 RFS30 标准 TO-247GE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFS30TZ6SGC13 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 650 v 2.3 V @ 30 A 35 ns 5 µA @ 650 V 175°C 30a -
RFN16T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN16T2DNZC9 2.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RFN16 标准 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RFN16T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 16a 980 mv @ 8 a 30 ns 10 µA @ 200 V 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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