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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RBR20BM30ATL | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR20 | 肖特基 | TO-252 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 510 MV @ 10 A | 300 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBS5LAM40ATR | 0.4700 | ![]() | 610 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBS5LAM40 | 肖特基 | PMDT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 490 mv @ 5 a | 800 µA @ 20 V | 125°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | RBR20T60ANZC9 | 1.6300 | ![]() | 839 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RBR20 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 640 mv @ 10 a | 400 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBQ30TB45BNZC9 | 2.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RBQ30 | 肖特基 | TO-220FN-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 590 mv @ 30 a | 350 µA @ 45 V | 150°C | 30a | - | ||||||||||
![]() | RBR10BM60ATL | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR10 | 肖特基 | TO-252 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR15BM40ATL | 1.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR15 | 肖特基 | TO-252 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 7.5a | 550 MV @ 7.5 A | 240 µA @ 40 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR10NS60ATL | 0.6690 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR10NS60ATLCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | 150°C | |||||||||
![]() | RBR20NS60ATL | 0.7845 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR20 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR20NS60ATLCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 640 mv @ 10 a | 400 µA @ 60 V | 150°C | |||||||||
![]() | RBR30NS40ATL | 1.7100 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR30 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 15a | 620 MV @ 15 A | 360 µA @ 40 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR10NS40ATL | 1.4300 | ![]() | 909 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 5a | 620 MV @ 5 A | 120 µA @ 40 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR20BM40ATL | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR20 | 肖特基 | TO-252 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 10a | 550 mv @ 10 a | 360 µA @ 40 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RFV5BM6STL | 0.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFV5BM6 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 5 A | 40 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 5a | - | |||||||||
![]() | RBQ20T45ANZC9 | 1.5000 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RBQ20 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 650 MV @ 10 A | 140 µA @ 45 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB238T-60NZC9 | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB238 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 40a | 860 mv @ 20 a | 12 µA @ 60 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BZX84C33VLT116 | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.06% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 23 V | 33 V | 80欧姆 | ||||||||||||
![]() | kdzlvtr56 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.25% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr56 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 43 V | 56 v | |||||||||||||
![]() | RB706UM-40TL | 0.3900 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-85 | RB706 | 肖特基 | UMD3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 30 V | 125°c (最大) | ||||||||||
![]() | RB521CM-40T2R | 0.2700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RB521 | 肖特基 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 610 MV @ 100 mA | 100 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 100mA | - | ||||||||||
![]() | BZX84C9V1LT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.04% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | ||||||||||||
![]() | UFZVTE-1718B | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.63% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 23欧姆 | ||||||||||||
![]() | RBQ20NS45ATL | 1.4000 | ![]() | 889 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBQ20 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 20a | 650 MV @ 10 A | 140 µA @ 45 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BZX84C27VLT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±7.04% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 19 V | 27 V | 80欧姆 | ||||||||||||
![]() | RB561VM-40TE-17 | 0.3900 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB561 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 560 mv @ 500 mA | 300 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 500mA | - | ||||||||||
![]() | RB560VM-40TE-17 | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB560 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 640 mv @ 500 mA | 40 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 500mA | - | ||||||||||
![]() | RR1VWM4STR | 0.3600 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RR1VWM4 | 标准 | PMDE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 175°c (最大) | 1a | - | ||||||||||
![]() | BZX84B10VLT116 | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | BZX84C3V3LT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.06% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | ||||||||||||
![]() | UFZVTE-1711b | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.77% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 8 V | 11 V | 10欧姆 | ||||||||||||
![]() | BZX84B11VLT116 | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | UFZVTE-176.2B | 0.3000 | ![]() | 207 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UFZVTE | 500兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 10欧姆 |
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