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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB238T-30NZC9 | 2.0100 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB238 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 40a | 750 mv @ 20 a | 12 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB238T150NZC9 | 2.8600 | ![]() | 792 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB238 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 40a | 870 mv @ 20 a | 30 µA @ 150 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB098BM-40TL | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB098 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 6a | 770 mv @ 3 a | 1.5 µA @ 40 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB088LAM-40TR | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB088 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 710 MV @ 5 A | 3.6 µA @ 40 V | 150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | RB238T100NZC9 | 2.7600 | ![]() | 864 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB238 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 40a | 860 mv @ 20 a | 20 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB088T-60NZC9 | 1.1500 | ![]() | 920 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB088 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 830 mv @ 5 a | 3 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB088LAM-30TR | 0.4800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB088 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 690 mv @ 5 a | 2.5 µA @ 30 V | 150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | RB058LAM100TR | 0.5100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB058 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB058LAM100TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 810 MV @ 3 A | 3 µA @ 100 V | 150°C | 3a | - | |||||||||
![]() | RB218T-60NZC9 | 1.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB218 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 830 MV @ 10 A | 5 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB088LAM100TR | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RB088 | 肖特基 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 870 mv @ 5 a | 3 µA @ 100 V | 150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | RB098BM-60TL | 0.9400 | ![]() | 1883年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB098 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 6a | 830 mv @ 3 a | 1.5 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB088NS-30TL | 1.2900 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB088 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 720 MV @ 5 A | 3 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB218T-30NZC9 | 1.5400 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB218 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 20a | 720 MV @ 10 A | 5 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RB298NS100TL | 1.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RB298 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 30a | 870 mv @ 15 A | 10 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBQ10NS100ATL | 1.9000 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBQ10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 770 mv @ 5 a | 80 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RF1001T2DNZC9 | 1.4400 | ![]() | 951 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF1001 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RF1001T2DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 930 MV @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | ||||||||
![]() | pdzvtr2.7b | 0.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7.41% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr2.7 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-PDZVTR2.7BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 1 V | 2.7 v | 15欧姆 | |||||||||||
![]() | KDZVTR47A | 0.4700 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.38% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTR47 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 36 V | 47 V | |||||||||||||
![]() | pdzvtr2.2b | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.68% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr2.2 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 700 mV | 2.2 v | 20欧姆 | ||||||||||||
![]() | pdzvtr3.3b | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.06% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr3.3 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 80 µA @ 1 V | 3.3 v | 15欧姆 | ||||||||||||
![]() | RBQ15BGE45ATL | 1.8200 | ![]() | 562 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ15 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 590 MV @ 7.5 A | 140 µA @ 45 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RFV5BGE6STL | 1.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFV5BGE6 | 标准 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 5 A | 40 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 5a | - | |||||||||
![]() | RFC02MM2STR | 0.4700 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RFC02 | 标准 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 750 mv @ 100 ma | 35 ns | 1 µA @ 200 V | 150°C | 200mA | - | |||||||||
![]() | RFV8BGE6STL | 1.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFV8BGE6 | 标准 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 8 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | pdzvtr3.0b | 0.4000 | ![]() | 817 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | pdzvtr3.0 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 µA @ 1 V | 3 V | 15欧姆 | ||||||||||||
![]() | RFN10BGE3STL | 1.1400 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN10 | 标准 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 350 v | 1.5 V @ 10 A | 30 ns | 10 µA @ 350 V | 150°C | 10a | - | |||||||||
![]() | kdzlvtr68 | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZLV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr68 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 52 V | 68 v | 230欧姆 | ||||||||||||
![]() | RBR40NS60ATL | 2.0200 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR40 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 600 mv @ 20 a | 800 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR20T30ANZC9 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RBR20 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR20T30ANZC9CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 550 mv @ 10 a | 200 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||
![]() | RBS2LAM40BTR | 0.1360 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RBS2LAM40 | 肖特基 | PMDT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBS2LAM40BCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 410 mv @ 2 a | 500 µA @ 20 V | 125°C | 2a | - |
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