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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB706D-40FHT146 | 0.5900 | ![]() | 905 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RB706 | 肖特基 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | ||||||||||
![]() | BZX84C3V0LYT116 | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||
![]() | RB520G-30T2R | - | ![]() | 3399 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-723 | RB520G-30 | 肖特基 | VMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 450 mv @ 10 mA | 500 NA @ 10 V | 125°c (最大) | 100mA | - | ||||||||||
MTZJT-772.0B | - | ![]() | 1313 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT772.0B | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 v | |||||||||||||||
![]() | KDZVTR16B | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTR16 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 12 V | 17.25 v | |||||||||||||
![]() | TFZGTR20B | 0.0886 | ![]() | 3153 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | TFZGTR20 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | RB225T-60 | 1.7800 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB225 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | RB225T60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 630 MV @ 15 A | 600 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | EDZ9HUTE6116B | - | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | Edz9hut | 100兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-EDZ9HUTE6116BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | rfn1vwm2stftr | 0.6400 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | RFN1VWM2 | 标准 | PMDE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 930 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | 175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | RBR3MM60ATFTR | 0.4400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBR3MM60 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 660 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
![]() | SCS212AMC | 6.4500 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SCS212 | SIC (碳化硅) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 12a | 438pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | RF101LAM2STFTR | 0.4400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RF101 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 870 mv @ 1 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||
![]() | RBR5L30BDDTE25 | 0.7800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RBR5L30 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 490 mv @ 5 a | 150 µA @ 30 V | 150°C | 5a | - | ||||||||||
MTZJT-7218B | - | ![]() | 1933年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7218b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 30欧姆 | ||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-172.0B | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±4.5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzvfhte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µA @ 500 mV | 2 v | 100欧姆 | ||||||||||||
![]() | RB520S-30 ULTE61 | - | ![]() | 3859 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB520 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB520S-30 ULTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTR15B | 0.3800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTR15 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 11 V | 15.6 v | |||||||||||||
![]() | DAN217UT106 | 0.3800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | Dan217 | 标准 | UMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 200 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||
MTZJT-7736C | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 500兆 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 27 V | 36 V | 75欧姆 | ||||||||||||||
![]() | PDZVTR16B | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.09% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR16 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 12 V | 17.25 v | 12欧姆 | ||||||||||||
![]() | RFN3BM2STL | 0.4335 | ![]() | 8091 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RFN3BM2 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 980 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | 3a | - | |||||||||
![]() | gdz8ept2r6.2b | - | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-GDZ8EPT2R6.2BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RB551VM-40TE-17 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB551 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 430 mv @ 200 ma | 300 µA @ 40 V | 125°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | UDZVFHTE-1713B | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.23% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzvfhte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 37欧姆 | ||||||||||||
![]() | PDZVTR13B | 0.4500 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Rohm半导体 | PDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.01% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-128 | PDZVTR13 | 1 w | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 10 V | 14.15 v | 10欧姆 | ||||||||||||
![]() | RB058L150TE25 | 0.1650 | ![]() | 9108 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RB058 | 肖特基 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 850 mv @ 3 a | 3 µA @ 150 V | 150°C (最大) | 3a | - | ||||||||||
RLZTE-114.3C | - | ![]() | 9094 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | - | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 40欧姆 | ||||||||||||||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | do-214ac,SMA | RF103 | 标准 | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 920 MV @ 1 A | 20 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||||
![]() | TDZTR12 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TDZTR12 | 500兆 | TUMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 8 V | 12 v | |||||||||||||
![]() | RFN1LAM6STR | 0.4300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | RFN1LAM6 | 标准 | PMDTM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.45 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 800mA | - |
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