SIC
close

二极管（（3328）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
CDZFHT2RA4.3B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA4.3B 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101，CDZFH 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±3.02％ 150°C（TJ） 表面安装 SOD-923 CDZFHT2 100兆 VMN2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 V 4.3 v 100欧姆
YFZVFHTR2.0B Rohm Semiconductor yfzvfhtr2.0b 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 ±4.27％ 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 YFZVFHTR2.0 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 500 mV 2.11 v 140欧姆
YFZVFHTR3.9B Rohm Semiconductor yfzvfhtr3.9b 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±3.35％ 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 yfzvfhtr3.9 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 V 4.03 v 50欧姆
YFZVFHTR5.6B Rohm Semiconductor yfzvfhtr5.6b 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2.5％ 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 YFZVFHTR5.6 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.59 v 13欧姆
1SS400CSFHT2RA Rohm Semiconductor 1SS400CSFHT2RA 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOD-923 1SS400 标准 VMN2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 80 V 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 na @ 80 V 150°C （最大） 100mA 3pf @ 500mv，1MHz
UMN20NFHTR Rohm Semiconductor UMN20NFHTR 0.1057
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMN20 标准 UMD6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 3独立 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 10 na @ 20 V 150°C （最大）
SCS220AGHRC Rohm Semiconductor SCS220AGHRC -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 SCS220 SIC （碳化硅） TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.55 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 600 V 175°c （最大） 20a 730pf @ 1V，1MHz
SCS230AE2HRC Rohm Semiconductor SCS230AE2HRC -
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SCS230 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 360 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 15A（DC） 1.55 V @ 15 A 300 µA @ 600 V 175°c （最大）
SCS240AE2HRC Rohm Semiconductor SCS240AE2HRC -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 SCS240 SIC （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 360 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 15A（DC） 1.55 V @ 15 A 300 µA @ 600 V 175°c （最大）
TFZVTR2.0B Rohm Semiconductor tfzvtr2.0b 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ 150°C 表面安装 2-SMD，平坦的铅 tfzvtr2.0 500兆 tumd2m 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 500 mV 2 v 140欧姆
SCS302APC9 Rohm Semiconductor SCS302AP9 1.1520
RFQ
 ECAD 5172 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 通过洞 TO-220-2 SCS302 SIC （碳化硅） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 2 A 0 ns 10.8 µA @ 650 V 175°c （最大） 2a 110pf @ 1V，1MHz
SCS304APC9 Rohm Semiconductor SCS304APC9 2.6600
RFQ
 ECAD 898 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 通过洞 TO-220-2 SCS304 SIC （碳化硅） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 4 A 0 ns 20 µA @ 650 V 175°c （最大） 4a 200pf @ 1V，1MHz
RR268MM-600TR Rohm Semiconductor RR268mm-600Tr 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 表面安装 SOD-123F RR268 标准 PMDU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 980 mv @ 1 a 10 µA @ 400 V 150°C （最大） 1a -
RFUH10TF6S Rohm Semiconductor RFUH10TF6S 0.8460
RFQ
 ECAD 5215 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 通过洞 TO-220-2 RFUH10 标准 TO-220NFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.8 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 600 V 150°C （最大） 10a -
1SR124-400AT-81 Rohm Semiconductor 1SR124-400AT-81 -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Rohm半导体 - （TB） 过时的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1SR124 标准 GSR 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1SR124400AT81 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.3 V @ 1 A 400 ns 10 µA @ 400 V -60°C〜150°C 1a -
MTZJT-7210C Rohm Semiconductor mtzjt-7210c -
RFQ
 ECAD 7073 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7210c Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
MTZJT-7211C Rohm Semiconductor mtzjt-7211c -
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7211c Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 8 V 11 V 20欧姆
MTZJT-7212C Rohm Semiconductor mtzjt-7212c -
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7212c Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 9 V 12 v 25欧姆
MTZJT-7215C Rohm Semiconductor MTZJT-7215C -
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7215c Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 11 V 15 v 25欧姆
MTZJT-7216C Rohm Semiconductor MTZJT-7216C -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MTZJT7216C Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 12 V 16 V 25欧姆
MTZJT-7218B Rohm Semiconductor MTZJT-7218B -
RFQ
 ECAD 1933年 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7218b Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 13 V 18 V 30欧姆
MTZJT-7220B Rohm Semiconductor mtzjt-7220b -
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7220b Ear99 8541.10.0050 5,000 20 v
MTZJT-723.3B Rohm Semiconductor mtzjt-723.3b -
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt723.3b Ear99 8541.10.0050 5,000 3.3 v
MTZJT-7236B Rohm Semiconductor mtzjt-7236b -
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt7236b Ear99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 27 V 36 V 75欧姆
MTZJT-724.3C Rohm Semiconductor MTZJT-724.3C -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MTZJT724.3C Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1 V 4.3 v 100欧姆
MTZJT-724.7B Rohm Semiconductor MTZJT-724.7B -
RFQ
 ECAD 1708年 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MTZJT724.7B Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1 V 4.7 v 80欧姆
MTZJT-725.1A Rohm Semiconductor MTZJT-725.1A -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt725.1a Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1.5 V 5.1 v 70欧姆
MTZJT-725.1C Rohm Semiconductor MTZJT-725.1C -
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 mtzjt725.1c Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1.5 V 5.1 v 70欧姆
MTZJT-727.5A Rohm Semiconductor MTZJT-727.5A -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MTZJT727.5A Ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 4 V 7.5 v 20欧姆
MTZJT-727.5B Rohm Semiconductor MTZJT-727.5B -
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Rohm半导体 mtz j （TB） 过时的 ±3％ - 通过洞 do-204Ag，do-34，轴向 MTZJT-72 500兆 MSD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MTZJT727.5B Ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 4 V 7.5 v 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭