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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RBR40NS30ATL | 2.7700 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR40 | 肖特基 | LPT | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 20a | 520 mv @ 20 a | 600 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBQ20BM45ATL | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ20 | 肖特基 | TO-252 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 590 mv @ 10 A | 200 µA @ 45 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBS2MM40ATR | 0.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBS2MM40 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 480 mv @ 2 a | 400 µA @ 20 V | 125°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | RBR10BM30ATL | 1.0900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR10 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 5a | 550 mv @ 5 a | 100 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR10T60ANZC9 | 1.2600 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RBR10 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBQ20T65ANZC9 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RBQ20 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 10a | 690 mv @ 10 A | 140 µA @ 65 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBQ20NS65ATL | 1.5400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBQ20 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 10a | 690 mv @ 10 A | 140 µA @ 65 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBS2MM40BTR | 0.1139 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBS2MM40 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 410 mv @ 2 a | 500 µA @ 20 V | 125°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | RBS3MM40BTR | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBS3MM40 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 mv @ 3 a | 600 µA @ 20 V | 125°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | RFV12TJ6SGC9 | 1.5400 | ![]() | 927 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFV12 | 标准 | TO-220ACFP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 12 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 12a | - | |||||||||
![]() | RBQ30NS65ATL | 1.7100 | ![]() | 996 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBQ30 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 15a | 690 mv @ 15 A | 200 µA @ 65 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR20NS30ATL | 1.5400 | ![]() | 775 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR20 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 550 mv @ 10 a | 200 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR30NS30ATL | 1.7100 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR30 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 550 mv @ 15 A | 300 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR10NS30ATL | 0.6690 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR10NS30ATLCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 5a | 550 mv @ 5 a | 100 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||
![]() | RBR20NS40ATL | 0.7845 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR20 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RBR20NS40ATLCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 10a | 620 MV @ 10 A | 240 µA @ 40 V | 150°C | |||||||||
![]() | kdzvtr39a | 0.4700 | ![]() | 365 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.13% | 150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTR39 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-KDZVTR39ATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 30 V | 39 v | ||||||||||||
![]() | RF2001T3DNZC9 | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF2001 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RF2001T3DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 20a | 1.3 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 300 V | 150°C | ||||||||
![]() | RFUH25TB3SNZC9 | 1.7000 | ![]() | 914 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFUH25 | 标准 | TO-220FN-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RFUH25TB3SNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 350 v | 1.45 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA @ 350 V | 150°C | 20a | - | ||||||||
![]() | RFUH5TF6SC9 | 1.3400 | ![]() | 874 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RFUH5 | 标准 | TO-220ACFP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RFUH5TF6SC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.8 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C | 5a | - | ||||||||
![]() | RFUH25NS3STL | 2.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFUH25 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 350 v | 1.45 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA @ 350 V | 150°C | 20a | - | |||||||||
![]() | kdzlvtr75 | 0.4500 | ![]() | 506 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZLV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | kdzlvtr75 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 57 V | 75 v | 250欧姆 | ||||||||||||
![]() | kdzvtr43a | 0.4700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.98% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZVTR43 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 33 V | 43 V | |||||||||||||
![]() | RF1601T2DNZC9 | 1.7200 | ![]() | 966 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF1601 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RF1601T2DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 930 MV @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | ||||||||
![]() | KDZLVTR130 | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.15% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | KDZLVTR130 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 102 V | 130 v | 1100欧姆 | ||||||||||||
![]() | RF601T2DNZC9 | 1.2400 | ![]() | 983 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF601 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RF601T2DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 6a | 930 MV @ 3 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C | ||||||||
![]() | DA221ZMT2L | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DA221 | 标准 | VMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 20 v | 100mA | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 15 V | 150°C | ||||||||||
![]() | DB2430100L | - | ![]() | 6680 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-DB2430100LTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DZ2405600L | - | ![]() | 6022 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-DZ2405600LTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RBR20BGE40ATL | 2.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR20 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 20a | 550 mv @ 10 a | 360 µA @ 40 V | 150°C | ||||||||||
![]() | RBR10BGE40ATL | 1.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR10 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 10a | 620 MV @ 5 A | 120 µA @ 40 V | 150°C |
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