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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | kdztr3.6b | 0.1836 | ![]() | 1595年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr3.6 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 60 µA @ 1 V | 3.8 v | |||||||||||
![]() | kdztr3.9b | 0.1836 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr3.9 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µA @ 1 V | 4.1 v | |||||||||||
![]() | kdztr4.7b | 0.1836 | ![]() | 9615 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr4.7 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 4.9 v | |||||||||||
![]() | kdztr6.2b | 0.1836 | ![]() | 1706年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr6.2 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3 V | 6.5 v | |||||||||||
![]() | kdztr6.8b | 0.1836 | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr6.8 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3.5 V | 7.3 v | |||||||||||
![]() | kdztr7.5b | 0.5200 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr7.5 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 4 V | 7.9 v | |||||||||||
![]() | kdztr11b | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr11 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 8 V | 11.5 v | |||||||||||
![]() | kdztr24b | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±7% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZTR24 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 19 V | 25.3 v | |||||||||||
![]() | kdztr33b | 0.1836 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr33 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 25 V | 35 v | |||||||||||
![]() | kdztr36b | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr36 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 27 V | 39.2 v | |||||||||||
![]() | RSX101M-30TR | 0.1094 | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-123F | RSX101 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 390 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | RB521ZS-30T2R | - | ![]() | 4110 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB521 | 肖特基 | GMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 370 mv @ 10 mA | 7 µA @ 10 V | 150°C (最大) | 100mA | - | ||||||||
![]() | RFN20TF6 | 1.0005 | ![]() | 8648 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-220-2 | RFN20 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 20 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | |||||||
![]() | 1SR124-400AT-82 | - | ![]() | 8647 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1SR124 | 标准 | GSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SR124400AT82 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 400 ns | 10 µA @ 400 V | 1a | - | |||||||
![]() | 1SR139-600T-31 | - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-41 mini,轴向 | 1SR139 | 标准 | MSR | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SR139600T31 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 1a | - | |||||||
1SS244T-72 | - | ![]() | 3367 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | 1S244 | 标准 | MSD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1SS244T72 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 220 v | 1.5 V @ 200 ma | 75 ns | 10 µA @ 220 V | 175°c (最大) | 200mA | 3pf @ 0v,1MHz | |||||||
mtzjt-7213b | - | ![]() | 9795 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7213b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 10 V | 13 V | 25欧姆 | ||||||||||
mtzjt-722.2b | - | ![]() | 3143 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt722.2b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.2 v | ||||||||||||
mtzjt-722.7b | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt722.7b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.7 v | ||||||||||||
MTZJT-7220C | - | ![]() | 2404 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7220c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 20 v | ||||||||||||
mtzjt-7222b | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7222b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 17 V | 22 v | 30欧姆 | ||||||||||
mtzjt-7224b | - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7224b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 19 V | 24 V | 35欧姆 | ||||||||||
MTZJT-7227C | - | ![]() | 6217 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT7227C | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45欧姆 | ||||||||||
mtzjt-7230a | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7230a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 23 V | 30 V | 55欧姆 | ||||||||||
mtzjt-7239b | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7239b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 30 V | 39 v | 85欧姆 | ||||||||||
MTZJT-7239C | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt7239c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 30 V | 39 v | 85欧姆 | ||||||||||
MTZJT-724.3A | - | ![]() | 5283 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT724.3A | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 100欧姆 | ||||||||||
MTZJT-726.2A | - | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt726.2a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 30欧姆 | ||||||||||
MTZJT-726.8B | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mtzjt726.8b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 µA @ 3.5 V | 6.8 v | 20欧姆 | ||||||||||
MTZJT-727.5C | - | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Rohm半导体 | mtz j | (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJT-72 | 500兆 | MSD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MTZJT727.5C | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 v | 20欧姆 |
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