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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备软件包 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
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![]() | SDS065J008S3 | 2.8300 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | Sanan半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.10.0000 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | SDS065J006C3 | 2.4200 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | Sanan半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2L | rohs3符合条件 | 不适用 | 5023-SDS065J006C3 | Ear99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 310pf @ 0v,1MHz |
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