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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CBR06P65HL | 1.9900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 18a | - | ||||||
![]() | CBR20120PC | 12.0100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SIC (碳化硅) | TO-220-3L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20a | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | CBR10P65HL | 2.7300 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 30a | - | ||||||
![]() | CBR08P65D | 2.2500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | 汽车,AEC-Q101 | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252-2L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 29a | - | ||||||
![]() | CBR20P65PC | 5.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SIC (碳化硅) | TO-220-3L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 21a | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | US1M | 0.3600 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | SMA | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | Rohs符合条件 | 到达受影响 | 4727-US1MTR | Ear99 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 2 A | 75 ns | -55°C〜150°C | 1a | ||||||
![]() | CBR10P65 | 2.7300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 25 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 29a | - |
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