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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N756AT/r。 | 0.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N756AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||||||
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![]() | 1N5363BBULK | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 5 w | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5363BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | ||||||||||||
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![]() | 1n4733333333333 | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N473333333333 | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 v | 7欧姆 | ||||||||||||
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![]() | Her506t/r | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER506T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5936BT/R。 | 0.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5936BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 26欧姆 | |||||||||||||
![]() | FR106Bulk | 0.2100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FR106Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | FR307T/r。 | 0.1600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FR307T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4748AT/R。 | 0.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4748AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 16.7 V | 22 v | 23欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N5399T/r | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5399T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | BR610 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-BR610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||
![]() | 1N5393 | 0.1800 | ![]() | 60 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5393 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | FR301Bulk | 0.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FR301Bulk | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | SML4759A | 0.0462 | ![]() | 30 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | do-214ac,SMA | 1 w | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-SML4759ATR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 v | 125欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4742AT/r。 | 0.0510 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4742AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4741AT/r。 | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4741AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N4740A | 0.1050 | ![]() | 21 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4740A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 v | 7欧姆 | ||||||||||||
![]() | BA158散装 | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-BA158BULK | 8541.10.0000 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5391T/r | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5391T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | 10A05 | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | D-6,轴向 | 标准 | D6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-10A05TR | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 10 A | 10 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 10a | 80pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | ESJA04-03A | 0.6500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | M1a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-ESJA04-03A | 8541.10.0000 | 300 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3000 v | 12 V @ 10 mA | 80 ns | 2 µA @ 3000 V | 120°C (最大) | 1ma | - | ||||||||||
![]() | HER302T/r。 | 0.1700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-HER302T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 3a | 50pf @ 4V,1MHz |
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