SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5391BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391Bulk 0.1800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5391Bulk 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N755ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N755555ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N755555 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 7.5 v 6欧姆
BR5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5008 2.9900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR5008 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4758AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 42.6 V 56 v 110欧姆
BR2504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504W 2.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-50W 标准 BR-50W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR2504W 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
HER503BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her503bulk 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER503BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
1N5228BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5228BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5228BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
1N5251BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5251BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5251BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 17 V 22 v 29欧姆
1N5380BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5380BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5380BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
1N4737ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4737ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4737ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
BA159BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BA159Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BA159BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
1N4732T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732T/r 0.0900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4732T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N756ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N756ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 8.2 v 8欧姆
1N754ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N754ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N754ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 6.8 v 5欧姆
FR307BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR307Bulk 0.2400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR307Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
1N5250BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5250BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5250BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
SN13 EIC SEMICONDUCTOR INC. SN13 0.0420
RFQ
ECAD 50 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA 标准 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-SN13TR 8541.10.0000 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1 V @ 1 A 2 µs 2 µA @ 1300 V -65°C〜175°C 1a 30pf @ 4V,1MHz
1N4740ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4740ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 7.6 V 10 v 7欧姆
1N5817BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5817BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 肖特基 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5817Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 450 MV @ 1 A 1 ma @ 20 V -65°C〜125°C 1a 110pf @ 4V,1MHz
1N4007C.B.O. EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4007C.BO 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-1N4007C.BO 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
FR106BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR106Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 37 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR106Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
FR307T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR307T/r。 0.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR307T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
1N5391T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5391T/r 0.0400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5391T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
DR206T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. DR206T/r。 0.0600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-DR206T/RTR 8541.10.0000 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 2a 75pf @ 4V,1MHz
BYD13JBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. byd13jbulk 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 雪崩 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYD13JBULK 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.05 V @ 1 A 1 µA @ 600 V 175°C 1.4a -
BYV26E EIC SEMICONDUCTOR INC. byv26e 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 雪崩 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYV26E 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 2.5 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a -
10A05 EIC SEMICONDUCTOR INC. 10A05 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 D-6,轴向 标准 D6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-10A05TR 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 10 A 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 10a 80pf @ 4V,1MHz
ESJA04-03A EIC SEMICONDUCTOR INC. ESJA04-03A 0.6500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 轴向 标准 M1a 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-ESJA04-03A 8541.10.0000 300 小信号= <200ma(io(io),任何速度 3000 v 12 V @ 10 mA 80 ns 2 µA @ 3000 V 120°C (最大) 1ma -
MR854T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. MR854T/r。 0.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-MR854T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库