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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
RGP02-16E-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. RGP02-16E-T/R。 0.1600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RGP02-16E-T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1600 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1600 V -65°C〜150°C 500mA 5pf @ 4V,1MHz
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
1N4749A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749A 0.1800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4749A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
BYD13MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Byd13mbulk 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 雪崩 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYD13MBULK 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.05 V @ 1 A 1 µA @ 1000 V 175°C 1.4a -
1N4005T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005T/r 0.0300
RFQ
ECAD 75 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-1N4005T/RTR 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4734ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4734ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
1N4736ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N4760AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4760AT/r。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4760AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5242BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 30欧姆
1N5247BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5247BT/R。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5247BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 13 V 17 V 19欧姆
1N5406BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5406卷 0.1800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5406Bulk 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 950 mv @ 3 a 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
1N4732T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732T/r 0.0900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4732T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N4758AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4758AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 42.6 V 56 v 110欧姆
1N4739AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4739AT/r。 0.0800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4739AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 7 V 9.1 v 5欧姆
1N5233BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5233BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5233BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
1N4742AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742AT/r。 0.0510
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4742AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
1N4744AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744AT/r。 0.0650
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4744AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
1N5363BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5363BBULK 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5363BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
1N5354BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5354BBULK 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5354BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 12.9 V 17 V 2.5欧姆
1N5393 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393 0.1800
RFQ
ECAD 60 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5393 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5237BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5237BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5237BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 v 8欧姆
1N4735ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4735ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
1N4733ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n4733333333333 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N473333333333 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
1N4741T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741T/r 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4741T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
1N5243BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5243BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 9.9 V 13 V 13欧姆
1N5358A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358A 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±10% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5358A 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.8 V 22 v 3.5欧姆
1N4741AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4741AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
1N4733AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733AG 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4733AG 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
1N5401T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5401T/r 0.0800
RFQ
ECAD 45 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5401T/RTR 8541.10.0000 1,250 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 950 mv @ 3 a 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
1N4748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748AT/R。 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4748AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库