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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4007卷 | 0.1800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4007BULK | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | 1N4005块 | 0.1300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4005典型 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | 1N4728ABULK | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4728ABULK | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4731ABULK | 0.1300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4731ABULK | 1,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4004T/r | 0.0230 | ![]() | 20 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-1N4004T/RTR | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | RBV1508 | 1.6000 | ![]() | 800 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV1508 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 a | 单相 | 800 v | ||||||||||
![]() | RBV1502 | 1.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | MR760 | 0.7500 | ![]() | 350 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | D-6,轴向 | 标准 | D6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-MR760 | 8541.10.0000 | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 900 mv @ 6 a | 25 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 22a | - | |||||||||
![]() | RBV1002 | 1.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV1002 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | RBV1504 | 1.9000 | ![]() | 600 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV1504 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
![]() | RBV5006 | 3.0000 | ![]() | 400 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV5006 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | RBV806 | 1.2500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | RBV5002 | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV5002 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 200 V | 50 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | RBV1510 | 1.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV1510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||
![]() | RBV2501 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV2501 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 a | 单相 | 100 v | ||||||||||
![]() | RBV3502 | 1.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV3502 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 200 V | 35 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | RBV3506 | 2.8100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV3506 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 a | 单相 | 600 v | ||||||||||
![]() | RBV3510 | 2.8100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV3510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||
![]() | RBV5008 | 3.9300 | ![]() | 620 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV5008 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 50 a | 单相 | 800 v | ||||||||||
![]() | RBV5004 | 3.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV5004 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 400 V | 50 a | 单相 | 400 v | ||||||||||
![]() | RBV802 | 1.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV802 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||
![]() | RBV610 | 1.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,RBV-25 | 标准 | RBV-25 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-RBV610 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||
![]() | 1N5359A | 0.1330 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 5 w | do-15 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N5359ATR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 17.3 V | 24 V | 3.5欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4744 | 0.0350 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4744TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4738 | 0.0500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-1N4738TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | |||||||||||
![]() | Z1200-T/R。 | 0.0400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-Z1200-T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 152 V | 200 v | 1900欧姆 | ||||||||||
![]() | SK15 | 0.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SK15TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 500 mv @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 1a | - | |||||||||
![]() | SF28-T/R。 | 0.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SF28-T/RTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 4 V @ 2 A | 35 ns | 20 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | SN1P | 0.1300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | SMA(do-214ac) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-SN1PTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 2.2 V @ 1 A | 5 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C | 1a | 36pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | RM11C-Bulk | 0.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | D-2,轴向 | 标准 | D2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2439-rm11c-bulk | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 920 MV @ 1.5 A | 10 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1.2a | 30pf @ 4V,1MHz |
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